品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C650NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€125W
阈值电压:2.2V@98µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2546pF@25V
连续漏极电流:21A€111A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH4210DTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€125W
阈值电压:2.1V@100µA
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4812pF@13V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@50A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C650NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€125W
阈值电压:2.2V@98µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2546pF@25V
连续漏极电流:21A€111A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C650NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€125W
阈值电压:2.2V@98µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2546pF@25V
连续漏极电流:21A€111A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD5C446NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€125W
阈值电压:2.2V@90µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3170pF@25V
连续漏极电流:25A€145A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.65mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD5C446NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€125W
阈值电压:2.2V@90µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3170pF@25V
连续漏极电流:25A€145A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.65mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD5C446NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€125W
阈值电压:2.2V@90µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3170pF@25V
连续漏极电流:25A€145A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.65mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C650NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€125W
阈值电压:2.2V@98µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2546pF@25V
连续漏极电流:21A€111A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C650NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€125W
阈值电压:2.2V@98µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2546pF@25V
连续漏极电流:21A€111A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C650NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€125W
阈值电压:2.2V@98µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2546pF@25V
连续漏极电流:21A€111A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH4210DTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€125W
阈值电压:2.1V@100µA
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4812pF@13V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@50A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C650NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€125W
阈值电压:2.2V@98µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2546pF@25V
连续漏极电流:21A€111A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD5C446NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€125W
阈值电压:2.2V@90µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3170pF@25V
连续漏极电流:25A€145A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.65mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH4210DTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€125W
阈值电压:2.1V@100µA
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4812pF@13V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@50A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD5C446NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€125W
阈值电压:2.2V@90µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3170pF@25V
连续漏极电流:25A€145A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.65mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C650NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€125W
阈值电压:2.2V@98µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2546pF@25V
连续漏极电流:21A€111A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C650NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€125W
阈值电压:2.2V@98µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2546pF@25V
连续漏极电流:21A€111A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C650NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€125W
阈值电压:2.2V@98µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2546pF@25V
连续漏极电流:21A€111A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C650NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€125W
阈值电压:2.2V@98µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2546pF@25V
连续漏极电流:21A€111A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C650NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€125W
阈值电压:2.2V@98µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2546pF@25V
连续漏极电流:21A€111A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C650NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€125W
阈值电压:2.2V@98µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2546pF@25V
连续漏极电流:21A€111A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD5C446NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€125W
阈值电压:2.2V@90µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3170pF@25V
连续漏极电流:25A€145A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.65mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C650NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€125W
阈值电压:2.2V@98µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2546pF@25V
连续漏极电流:21A€111A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD5C446NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€125W
阈值电压:2.2V@90µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3170pF@25V
连续漏极电流:25A€145A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.65mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD5C446NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€125W
阈值电压:2.2V@90µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3170pF@25V
连续漏极电流:25A€145A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.65mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C650NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€125W
阈值电压:2.2V@98µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2546pF@25V
连续漏极电流:21A€111A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C650NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€125W
阈值电压:2.2V@98µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2546pF@25V
连续漏极电流:21A€111A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C650NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€125W
阈值电压:2.2V@98µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2546pF@25V
连续漏极电流:21A€111A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C650NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€125W
阈值电压:2.2V@98µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2546pF@25V
连续漏极电流:21A€111A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C650NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€125W
阈值电压:2.2V@98µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2546pF@25V
连续漏极电流:21A€111A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: