品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C650NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€125W
阈值电压:2.2V@98µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2546pF@25V
连续漏极电流:21A€111A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):NVMFD5C650NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€125W
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ECCN:EAR99
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类型:2N沟道(双)
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):NTMFD5C446NLT1G
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行业应用:工业,汽车
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工作温度:-55℃~175℃
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阈值电压:2.2V@98µA
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连续漏极电流:21A€111A
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工作温度:-55℃~175℃
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阈值电压:2.2V@98µA
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规格型号(MPN):NVMFD5C650NLWFT1G
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
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工作温度:-55℃~175℃
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
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工作温度:-55℃~175℃
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C650NLWFT1G
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C650NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
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品牌:ON SEMI
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销售单位:个
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工作温度:-55℃~175℃
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类型:2N沟道(双)
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销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C650NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€125W
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连续漏极电流:21A€111A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD5C446NLT1G
连续漏极电流:25A€145A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
功率:3.5W€125W
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