品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7434ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@125V
连续漏极电流:3.7A€12.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@3.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7434ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@125V
连续漏极电流:3.7A€12.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@3.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7434ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@125V
连续漏极电流:3.7A€12.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@3.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7434ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@125V
连续漏极电流:3.7A€12.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@3.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7434ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@125V
连续漏极电流:3.7A€12.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@3.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7434ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@125V
连续漏极电流:3.7A€12.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@3.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7434ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@125V
连续漏极电流:3.7A€12.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@3.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7434ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@125V
连续漏极电流:3.7A€12.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@3.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7434ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@125V
连续漏极电流:3.7A€12.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@3.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7434ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@125V
连续漏极电流:3.7A€12.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@3.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7434ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@125V
连续漏极电流:3.7A€12.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@3.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7434ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@125V
连续漏极电流:3.7A€12.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@3.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7434ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@125V
连续漏极电流:3.7A€12.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@3.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7434ADP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:150mΩ@3.7A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:250V
功率:5W€54.3W
连续漏极电流:3.7A€12.3A
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:600pF@125V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7434ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@125V
连续漏极电流:3.7A€12.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@3.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7434ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@125V
连续漏极电流:3.7A€12.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@3.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7434ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@125V
连续漏极电流:3.7A€12.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@3.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存: