采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17578Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：22.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17578Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：22.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17578Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17578Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：22.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17578Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：22.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17578Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：22.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17578Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：22.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17578Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：22.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：2V@30µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17578Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：22.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17578Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17578Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：22.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17578Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：22.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：2V@30µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：2V@30µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17578Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：22.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
