品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR108DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:41.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2060pF@50V
连续漏极电流:12.4A€45A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5108DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@50V
连续漏极电流:15.4A€55.9A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS46DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2140pF@50V
连续漏极电流:12.5A€45.3A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS02DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4450pF@10V
连续漏极电流:51A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS32ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1520pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR108DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:41.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2060pF@50V
连续漏极电流:12.4A€45A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS54DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3450pF@15V
连续漏极电流:51.1A€185.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.06Ω@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS32ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1520pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5108DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@50V
连续漏极电流:15.4A€55.9A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS22LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2540pF@30V
连续漏极电流:25.5A€92.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.65mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5708DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:975pF@75V
连续漏极电流:9.3A€33.8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS46DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2140pF@50V
连续漏极电流:12.5A€45.3A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4460pF@15V
连续漏极电流:50.5A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS50DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:29.7A€108A
类型:N沟道
导通电阻:2.83mΩ@15A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS32ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1520pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS06DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3660pF@15V
类型:N沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS32ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1520pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4460pF@15V
连续漏极电流:50.5A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS32DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1930pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS02DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4450pF@10V
连续漏极电流:51A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5108DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@50V
连续漏极电流:15.4A€55.9A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ188DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1920pF@30V
类型:N沟道
导通电阻:3.85mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:29.4A€108A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR108DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:41.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2060pF@50V
连续漏极电流:12.4A€45A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ188DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1920pF@30V
类型:N沟道
导通电阻:3.85mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR108DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:41.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2060pF@50V
连续漏极电流:12.4A€45A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5108DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@50V
连续漏极电流:15.4A€55.9A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ188DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1920pF@30V
类型:N沟道
导通电阻:3.85mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4460pF@15V
连续漏极电流:50.5A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ188DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1920pF@30V
类型:N沟道
导通电阻:3.85mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: