品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":176,"22+":45572,"23+":968,"MI+":3004}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9401-F085
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:429W(Tj)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:296 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15900 pF @ 25 V
连续漏极电流:300A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:0.65 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ415EP-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:45W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:95 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000 pF @ 25 V
连续漏极电流:30A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:14 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ415EP-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:45W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
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栅极电荷:95 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000 pF @ 25 V
连续漏极电流:30A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:14 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8445
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:79W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:59 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4050 pF @ 25 V
连续漏极电流:70A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.7 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ415EP-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:45W(Tc)
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栅极电荷:95 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000 pF @ 25 V
连续漏极电流:30A(Tc)
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导通电阻:14 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ415EP-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:45W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
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栅极电荷:95 nC @ 10 V
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连续漏极电流:30A(Tc)
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导通电阻:14 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:40V
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ415EP-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:45W(Tc)
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连续漏极电流:30A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:14 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:40V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8445
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:79W(Tc)
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输入电容:4050 pF @ 25 V
连续漏极电流:70A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.7 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ415EP-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:45W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:95 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000 pF @ 25 V
连续漏极电流:30A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:14 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA76EP-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:68W(Tc)
阈值电压:3.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5250 pF @ 25 V
连续漏极电流:75A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.4 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8441
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:280 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000 pF @ 25 V
连续漏极电流:28A(Ta),120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.5 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ415EP-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:45W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:95 nC @ 10 V
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输入电容:6000 pF @ 25 V
连续漏极电流:30A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:14 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8445
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:79W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
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输入电容:4050 pF @ 25 V
连续漏极电流:70A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.7 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8445
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:79W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:59 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4050 pF @ 25 V
连续漏极电流:70A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.7 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8445
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:79W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:59 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4050 pF @ 25 V
连续漏极电流:70A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.7 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9401-F085
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:429W(Tj)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:296 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15900 pF @ 25 V
连续漏极电流:300A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:0.65 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA76EP-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:68W(Tc)
阈值电压:3.5V @ 250µA
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栅极电荷:100 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5250 pF @ 25 V
连续漏极电流:75A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.4 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ415EP-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:45W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
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输入电容:6000 pF @ 25 V
连续漏极电流:30A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:14 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA76EP-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:68W(Tc)
阈值电压:3.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100 nC @ 10 V
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连续漏极电流:75A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.4 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8445
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:79W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:59 nC @ 10 V
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输入电容:4050 pF @ 25 V
连续漏极电流:70A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.7 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ415EP-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:45W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:95 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000 pF @ 25 V
连续漏极电流:30A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:14 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ415EP-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:45W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:95 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000 pF @ 25 V
连续漏极电流:30A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:14 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8441
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:280 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000 pF @ 25 V
连续漏极电流:28A(Ta),120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.5 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8441
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:280 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000 pF @ 25 V
连续漏极电流:28A(Ta),120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.5 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA76EP-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:68W(Tc)
阈值电压:3.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:75A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.4 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8441
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:280 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000 pF @ 25 V
连续漏极电流:28A(Ta),120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.5 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA76EP-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:68W(Tc)
阈值电压:3.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5250 pF @ 25 V
连续漏极电流:75A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.4 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ415EP-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:45W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:95 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000 pF @ 25 V
连续漏极电流:30A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:14 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8445
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:79W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:59 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4050 pF @ 25 V
连续漏极电流:70A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.7 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ415EP-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:45W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000 pF @ 25 V
连续漏极电流:30A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:14 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: