品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB55N10TM
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.75W(Ta),155W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:98 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75645S3ST
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:310W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:238 nC @ 20 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3790 pF @ 25 V
连续漏极电流:75A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:14 毫欧 @ 75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75645S3ST
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:310W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:238 nC @ 20 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3790 pF @ 25 V
连续漏极电流:75A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:14 毫欧 @ 75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB55N10TM
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.75W(Ta),155W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75645S3ST
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:310W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:238 nC @ 20 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3790 pF @ 25 V
连续漏极电流:75A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:14 毫欧 @ 75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH320N10T2
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:1000W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:430 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:26000 pF @ 25 V
连续漏极电流:320A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3.5 毫欧 @ 100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB047N10
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:375W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:210 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15265 pF @ 25 V
连续漏极电流:120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.7 毫欧 @ 75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF530A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:55W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:36 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:790 pF @ 25 V
连续漏极电流:14A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:110 毫欧 @ 7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB55N10TM
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.75W(Ta),155W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP3632
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:310W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:110 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:6000 pF @ 25 V
连续漏极电流:12A(Ta),80A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:9 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH320N10T2
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:1000W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:430 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:26000 pF @ 25 V
连续漏极电流:320A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3.5 毫欧 @ 100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH320N10T2
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:1000W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:430 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:26000 pF @ 25 V
连续漏极电流:320A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3.5 毫欧 @ 100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA130N10T
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:360W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
栅极电荷:104 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:5080 pF @ 25 V
连续漏极电流:130A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:9.1 毫欧 @ 25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB55N10TM
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.75W(Ta),155W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB55N10TM
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.75W(Ta),155W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:98 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75645S3ST
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:310W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:238 nC @ 20 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3790 pF @ 25 V
连续漏极电流:75A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:14 毫欧 @ 75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75645S3ST
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:310W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:238 nC @ 20 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3790 pF @ 25 V
连续漏极电流:75A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:14 毫欧 @ 75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH320N10T2
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:1000W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:430 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:26000 pF @ 25 V
连续漏极电流:320A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3.5 毫欧 @ 100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH320N10T2
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:1000W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:430 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:26000 pF @ 25 V
连续漏极电流:320A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3.5 毫欧 @ 100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH160N10T
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:430W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
栅极电荷:132 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:6600 pF @ 25 V
连续漏极电流:160A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:7 毫欧 @ 25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA130N10T
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:360W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
栅极电荷:104 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:5080 pF @ 25 V
连续漏极电流:130A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:9.1 毫欧 @ 25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB047N10
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:375W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:210 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15265 pF @ 25 V
连续漏极电流:120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.7 毫欧 @ 75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75645S3ST
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:310W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:238 nC @ 20 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3790 pF @ 25 V
连续漏极电流:75A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:14 毫欧 @ 75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB55N10TM
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.75W(Ta),155W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB047N10
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:375W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:210 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15265 pF @ 25 V
连续漏极电流:120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.7 毫欧 @ 75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTY44N10T
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:130W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 25µA
栅极电荷:33 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:1262 pF @ 25 V
连续漏极电流:44A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 22A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP60N10T
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:176W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 50µA
栅极电荷:49 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:2650 pF @ 25 V
连续漏极电流:60A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:18 毫欧 @ 25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB55N10TM
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.75W(Ta),155W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB047N10
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:375W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:210 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15265 pF @ 25 V
连续漏极电流:120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.7 毫欧 @ 75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH320N10T2
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:1000W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:430 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:26000 pF @ 25 V
连续漏极电流:320A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3.5 毫欧 @ 100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: