品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5612
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.8W(Ta),42W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:11 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660 pF @ 30 V
连续漏极电流:5.4A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:55 毫欧 @ 5.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76423P3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:85W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:34 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:1060 pF @ 25 V
连续漏极电流:35A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76423P3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:85W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:1060 pF @ 25 V
连续漏极电流:35A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76423P3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:85W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:1060 pF @ 25 V
连续漏极电流:35A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76423P3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:85W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:34 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:1060 pF @ 25 V
连续漏极电流:35A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76423P3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:85W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:1060 pF @ 25 V
连续漏极电流:35A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":5240}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5612
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.8W(Ta),42W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660 pF @ 30 V
连续漏极电流:5.4A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:55 毫欧 @ 5.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):HUF76423P3
功率:85W(Tc)
栅极电荷:34 nC @ 10 V
导通电阻:30 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:60V
类型:N 通道
包装方式:管件
ECCN:EAR99
输入电容:1060 pF @ 25 V
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
阈值电压:3V @ 250µA
连续漏极电流:35A(Tc)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5612
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.8W(Ta),42W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:11 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660 pF @ 30 V
连续漏极电流:5.4A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:55 毫欧 @ 5.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5612
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.8W(Ta),42W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:11 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660 pF @ 30 V
连续漏极电流:5.4A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:55 毫欧 @ 5.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5612
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.8W(Ta),42W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:11 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660 pF @ 30 V
连续漏极电流:5.4A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:55 毫欧 @ 5.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76429S3ST
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:110W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:46 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480 pF @ 25 V
连续漏极电流:47A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:22 毫欧 @ 47A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76423P3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:85W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:1060 pF @ 25 V
连续漏极电流:35A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":5240}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5612
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.8W(Ta),42W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660 pF @ 30 V
连续漏极电流:5.4A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:55 毫欧 @ 5.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":5240}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5612
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.8W(Ta),42W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660 pF @ 30 V
连续漏极电流:5.4A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:55 毫欧 @ 5.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:24 nC @ 5 V
输入电容:1604 pF @ 15 V
连续漏极电流:8.8A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:20 毫欧 @ 8.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:130W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:60 nC @ 5 V
输入电容:2880 pF @ 25 V
连续漏极电流:75A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8 毫欧 @ 52A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2322
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76423P3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:85W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:1060 pF @ 25 V
连续漏极电流:35A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5612
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.8W(Ta),42W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:11 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660 pF @ 30 V
连续漏极电流:5.4A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:55 毫欧 @ 5.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76423P3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:85W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:34 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:1060 pF @ 25 V
连续漏极电流:35A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76423P3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:85W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:34 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:1060 pF @ 25 V
连续漏极电流:35A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76423P3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:85W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:1060 pF @ 25 V
连续漏极电流:35A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76423P3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:85W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:1060 pF @ 25 V
连续漏极电流:35A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:24 nC @ 5 V
输入电容:1604 pF @ 15 V
连续漏极电流:8.8A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:20 毫欧 @ 8.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:24 nC @ 5 V
输入电容:1604 pF @ 15 V
连续漏极电流:8.8A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:20 毫欧 @ 8.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:24 nC @ 5 V
输入电容:1604 pF @ 15 V
连续漏极电流:8.8A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:20 毫欧 @ 8.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:130W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:60 nC @ 5 V
输入电容:2880 pF @ 25 V
连续漏极电流:75A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8 毫欧 @ 52A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:130W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:60 nC @ 5 V
输入电容:2880 pF @ 25 V
连续漏极电流:75A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8 毫欧 @ 52A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":5240}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5612
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.8W(Ta),42W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660 pF @ 30 V
连续漏极电流:5.4A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:55 毫欧 @ 5.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD78N03-1G
输入电容:2250 pF @ 12 V
栅极电荷:35 nC @ 4.5 V
漏源电压:25V
类型:N 通道
导通电阻:6 毫欧 @ 78A,10V
包装方式:管件
功率:1.4W(Ta),64W(Tc)
连续漏极电流:11.4A(Ta),78A(Tc)
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
阈值电压:3V @ 250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存: