品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS014N06CLTWG
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.8W(Ta),37W(Tc)
阈值电压:2V @ 25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620 pF @ 25 V
连续漏极电流:12A(Ta),36A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:15 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS014N06CLTWG
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.8W(Ta),37W(Tc)
阈值电压:2V @ 25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620 pF @ 25 V
连续漏极电流:12A(Ta),36A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:15 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC60N04S6L030HATMA1
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:75W(Tc)
阈值电压:2V @ 25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC @ 10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2128pF @ 25V
连续漏极电流:60A(Tj)
类型:2 个 N 通道(半桥)
导通电阻:3 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC60N04S6L030HATMA1
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:75W(Tc)
阈值电压:2V @ 25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC @ 10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2128pF @ 25V
连续漏极电流:60A(Tj)
类型:2 个 N 通道(半桥)
导通电阻:3 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: