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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：2.3W（Ta），15W（Tc）
阈值电压：2.7V @ 250µA
栅极电荷：19 nC @ 10 V
输入电容：582 pF @ 20 V
连续漏极电流：8A（Ta），19A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：23 毫欧 @ 8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：60W（Tc）
阈值电压：2V @ 23µA
栅极电荷：19 nC @ 10 V
输入电容：530 pF @ 25 V
连续漏极电流：30A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：20 毫欧 @ 18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：60W（Tc）
阈值电压：2V @ 23µA
栅极电荷：19 nC @ 10 V
输入电容：530 pF @ 25 V
连续漏极电流：30A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：20 毫欧 @ 18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86581-F085
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：48.4W（Tj）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880 pF @ 30 V
连续漏极电流：25A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：15 毫欧 @ 25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
