采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：65W
阈值电压：2.2V @ 28µA
栅极电荷：53nC @ 10V
输入电容：4020pF @ 25V
连续漏极电流：20A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：11.2 毫欧 @ 17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：65W
阈值电压：2.2V @ 28µA
栅极电荷：53nC @ 10V
输入电容：4020pF @ 25V
连续漏极电流：20A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：11.2 毫欧 @ 17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：65W
阈值电压：2.2V @ 28µA
栅极电荷：53nC @ 10V
输入电容：4020pF @ 25V
连续漏极电流：20A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：11.2 毫欧 @ 17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：50W（Tc）
阈值电压：4V @ 20µA
栅极电荷：29nC @ 10V
输入电容：2250pF @ 30V
连续漏极电流：20A（Tc）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：15.5 毫欧 @ 17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C672NLT1G
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），45W（Tc）
阈值电压：2.2V @ 30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.7nC @ 4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：793pF @ 25V
连续漏极电流：12A（Ta），49A（Tc）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：11.9 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C672NLT1G
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），45W（Tc）
阈值电压：2.2V @ 30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.7nC @ 4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：793pF @ 25V
连续漏极电流：12A（Ta），49A（Tc）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：11.9 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：50W（Tc）
阈值电压：4V @ 20µA
栅极电荷：29nC @ 10V
输入电容：2250pF @ 30V
连续漏极电流：20A（Tc）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：15.5 毫欧 @ 17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：50W（Tc）
阈值电压：4V @ 20µA
栅极电荷：29nC @ 10V
输入电容：2250pF @ 30V
连续漏极电流：20A（Tc）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：15.5 毫欧 @ 17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C672NLT1G
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），45W（Tc）
阈值电压：2.2V @ 30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.7nC @ 4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：793pF @ 25V
连续漏极电流：12A（Ta），49A（Tc）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：11.9 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C672NLT1G
输入电容：793pF @ 25V
连续漏极电流：12A（Ta），49A（Tc）
包装方式：卷带（TR）
功率：3.1W（Ta），45W（Tc）
栅极电荷：5.7nC @ 4.5V
漏源电压：60V
导通电阻：11.9 毫欧 @ 10A，10V
阈值电压：2.2V @ 30µA
类型：2 N-通道（双）
ECCN：EAR99
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：2250pF @ 30V
阈值电压：4V @ 20µA
栅极电荷：29nC @ 10V
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：15.5 毫欧 @ 17A，10V
连续漏极电流：20A（Tc）
漏源电压：60V
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：50W（Tc）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：2250pF @ 30V
阈值电压：4V @ 20µA
栅极电荷：29nC @ 10V
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：15.5 毫欧 @ 17A，10V
连续漏极电流：20A（Tc）
漏源电压：60V
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：50W（Tc）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C672NLT1G
输入电容：793pF @ 25V
连续漏极电流：12A（Ta），49A（Tc）
包装方式：卷带（TR）
功率：3.1W（Ta），45W（Tc）
栅极电荷：5.7nC @ 4.5V
漏源电压：60V
导通电阻：11.9 毫欧 @ 10A，10V
阈值电压：2.2V @ 30µA
类型：2 N-通道（双）
ECCN：EAR99
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
