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    工作温度: -55°C~175°C(TJ)
    漏源电压: 60V
    类型: 2 N-通道(双)
    当前匹配商品:10+
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    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA1 起订数30个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA1 起订数30个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:65W

    阈值电压:2.2V @ 28µA

    栅极电荷:53nC @ 10V

    输入电容:4020pF @ 25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:11.2 毫欧 @ 17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA1 起订数10个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA1 起订数10个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:65W

    阈值电压:2.2V @ 28µA

    栅极电荷:53nC @ 10V

    输入电容:4020pF @ 25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:11.2 毫欧 @ 17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA1 起订数50个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA1 起订数50个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:65W

    阈值电压:2.2V @ 28µA

    栅极电荷:53nC @ 10V

    输入电容:4020pF @ 25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:11.2 毫欧 @ 17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC155N06NDATMA1 起订数10个
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC155N06NDATMA1 起订数10个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:50W(Tc)

    阈值电压:4V @ 20µA

    栅极电荷:29nC @ 10V

    输入电容:2250pF @ 30V

    连续漏极电流:20A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:15.5 毫欧 @ 17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C672NLT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C672NLT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C672NLT1G

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:3.1W(Ta),45W(Tc)

    阈值电压:2.2V @ 30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.7nC @ 4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:793pF @ 25V

    连续漏极电流:12A(Ta),49A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:11.9 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C672NLT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C672NLT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C672NLT1G

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:3.1W(Ta),45W(Tc)

    阈值电压:2.2V @ 30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.7nC @ 4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:793pF @ 25V

    连续漏极电流:12A(Ta),49A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:11.9 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC155N06NDATMA1 起订数25个
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC155N06NDATMA1 起订数25个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:50W(Tc)

    阈值电压:4V @ 20µA

    栅极电荷:29nC @ 10V

    输入电容:2250pF @ 30V

    连续漏极电流:20A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:15.5 毫欧 @ 17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC155N06NDATMA1 起订数100个
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC155N06NDATMA1 起订数100个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:50W(Tc)

    阈值电压:4V @ 20µA

    栅极电荷:29nC @ 10V

    输入电容:2250pF @ 30V

    连续漏极电流:20A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:15.5 毫欧 @ 17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C672NLT1G 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C672NLT1G 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C672NLT1G

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:3.1W(Ta),45W(Tc)

    阈值电压:2.2V @ 30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.7nC @ 4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:793pF @ 25V

    连续漏极电流:12A(Ta),49A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:11.9 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C672NLT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C672NLT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C672NLT1G

    输入电容:793pF @ 25V

    连续漏极电流:12A(Ta),49A(Tc)

    包装方式:卷带(TR)

    功率:3.1W(Ta),45W(Tc)

    栅极电荷:5.7nC @ 4.5V

    漏源电压:60V

    导通电阻:11.9 毫欧 @ 10A,10V

    阈值电压:2.2V @ 30µA

    类型:2 N-通道(双)

    ECCN:EAR99

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC155N06NDATMA1 起订数10个
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC155N06NDATMA1 起订数10个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    输入电容:2250pF @ 30V

    阈值电压:4V @ 20µA

    栅极电荷:29nC @ 10V

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:15.5 毫欧 @ 17A,10V

    连续漏极电流:20A(Tc)

    漏源电压:60V

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:50W(Tc)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC155N06NDATMA1 起订数25个
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC155N06NDATMA1 起订数25个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    输入电容:2250pF @ 30V

    阈值电压:4V @ 20µA

    栅极电荷:29nC @ 10V

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:15.5 毫欧 @ 17A,10V

    连续漏极电流:20A(Tc)

    漏源电压:60V

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:50W(Tc)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C672NLT1G 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C672NLT1G 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C672NLT1G

    输入电容:793pF @ 25V

    连续漏极电流:12A(Ta),49A(Tc)

    包装方式:卷带(TR)

    功率:3.1W(Ta),45W(Tc)

    栅极电荷:5.7nC @ 4.5V

    漏源电压:60V

    导通电阻:11.9 毫欧 @ 10A,10V

    阈值电压:2.2V @ 30µA

    类型:2 N-通道(双)

    ECCN:EAR99

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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