品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH055N15A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:429W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:92 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:9445 pF @ 75 V
连续漏极电流:158A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:5.9 毫欧 @ 120A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB082N15A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:294W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:84 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6040 pF @ 25 V
连续漏极电流:117A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 75A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH055N15A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:429W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:92 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:9445 pF @ 75 V
连续漏极电流:158A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:5.9 毫欧 @ 120A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":16300,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD2572
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:135W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1770 pF @ 25 V
连续漏极电流:4A(Ta),29A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:54 毫欧 @ 9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD2572
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:135W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1770 pF @ 25 V
连续漏极电流:4A(Ta),29A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:54 毫欧 @ 9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH055N15A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:429W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:92 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:9445 pF @ 75 V
连续漏极电流:158A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:5.9 毫欧 @ 120A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH055N15A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:429W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:92 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:9445 pF @ 75 V
连续漏极电流:158A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:5.9 毫欧 @ 120A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH055N15A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:429W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:92 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:9445 pF @ 75 V
连续漏极电流:158A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:5.9 毫欧 @ 120A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH055N15A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:429W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:92 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:9445 pF @ 75 V
连续漏极电流:158A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:5.9 毫欧 @ 120A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB082N15A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:294W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:84 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6040 pF @ 25 V
连续漏极电流:117A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 75A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD2572
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:135W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1770 pF @ 25 V
连续漏极电流:4A(Ta),29A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:54 毫欧 @ 9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":16300,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD2572
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:135W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1770 pF @ 25 V
连续漏极电流:4A(Ta),29A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:54 毫欧 @ 9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD2572
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:135W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:34 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1770 pF @ 25 V
连续漏极电流:4A(Ta),29A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:54 毫欧 @ 9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH96N15P
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:480W(Tc)
阈值电压:5V @ 4mA
栅极电荷:110 nC @ 10 V
包装方式:盒
输入电容:3500 pF @ 25 V
连续漏极电流:96A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:24 毫欧 @ 500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB2532
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5870pF@25V
连续漏极电流:8A€79A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@33A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD2572
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:135W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:34 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1770 pF @ 25 V
连续漏极电流:4A(Ta),29A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:54 毫欧 @ 9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD2572
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:135W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:34 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1770 pF @ 25 V
连续漏极电流:4A(Ta),29A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:54 毫欧 @ 9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH96N15P
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:480W(Tc)
阈值电压:5V @ 4mA
栅极电荷:110 nC @ 10 V
包装方式:盒
输入电容:3500 pF @ 25 V
连续漏极电流:96A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:24 毫欧 @ 500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB082N15A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:294W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:84 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6040 pF @ 25 V
连续漏极电流:117A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 75A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD2572
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:135W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1770 pF @ 25 V
连续漏极电流:4A(Ta),29A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:54 毫欧 @ 9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTN400N15X4
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:1070W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 1mA
栅极电荷:430 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:14500 pF @ 25 V
连续漏极电流:400A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.7 毫欧 @ 100A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH055N15A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:429W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:92 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:9445 pF @ 75 V
连续漏极电流:158A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:5.9 毫欧 @ 120A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH055N15A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:429W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:92 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:9445 pF @ 75 V
连续漏极电流:158A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:5.9 毫欧 @ 120A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH055N15A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:429W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:92 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:9445 pF @ 75 V
连续漏极电流:158A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:5.9 毫欧 @ 120A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB082N15A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:294W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:84 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6040 pF @ 25 V
连续漏极电流:117A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 75A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH055N15A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:429W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:92 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:9445 pF @ 75 V
连续漏极电流:158A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:5.9 毫欧 @ 120A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH055N15A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:429W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:92 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:9445 pF @ 75 V
连续漏极电流:158A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:5.9 毫欧 @ 120A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD2572
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:135W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1770 pF @ 25 V
连续漏极电流:4A(Ta),29A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:54 毫欧 @ 9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB082N15A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:294W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:84 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6040 pF @ 25 V
连续漏极电流:117A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 75A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTN400N15X4
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:1070W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 1mA
栅极电荷:430 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:14500 pF @ 25 V
连续漏极电流:400A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.7 毫欧 @ 100A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: