采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：59 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050 pF @ 25 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.7 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：59 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050 pF @ 25 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.7 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：59 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050 pF @ 25 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.7 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：59 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050 pF @ 25 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.7 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：59 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050 pF @ 25 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.7 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：59 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050 pF @ 25 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.7 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：59 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050 pF @ 25 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.7 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：59 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050 pF @ 25 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.7 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：59 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050 pF @ 25 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.7 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050 pF @ 25 V
漏源电压：40V
类型：N 通道
栅极电荷：59 nC @ 10 V
连续漏极电流：70A（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
导通电阻：8.7 毫欧 @ 50A，10V
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050 pF @ 25 V
漏源电压：40V
类型：N 通道
栅极电荷：59 nC @ 10 V
连续漏极电流：70A（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
导通电阻：8.7 毫欧 @ 50A，10V
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050 pF @ 25 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.7 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050 pF @ 25 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.7 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：59 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050 pF @ 25 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.7 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050 pF @ 25 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.7 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050 pF @ 25 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.7 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050 pF @ 25 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.7 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050 pF @ 25 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.7 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R4-30MLDX
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：91W（Tc）
阈值电压：2.2V @ 1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3264 pF @ 15 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.4 毫欧 @ 25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R4-30MLDX
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：91W（Tc）
阈值电压：2.2V @ 1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3264 pF @ 15 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.4 毫欧 @ 25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R4-30MLDX
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：91W（Tc）
阈值电压：2.2V @ 1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3264 pF @ 15 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.4 毫欧 @ 25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R4-30MLDX
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：91W（Tc）
阈值电压：2.2V @ 1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3264 pF @ 15 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.4 毫欧 @ 25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：59 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050 pF @ 25 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.7 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：230W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：160 nC @ 10 V
输入电容：4500 pF @ 25 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 54A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：59 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050 pF @ 25 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.7 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050 pF @ 25 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.7 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：100W（Tc）
阈值电压：3.5V @ 46µA
栅极电荷：35 nC @ 10 V
输入电容：2410 pF @ 40 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：10 毫欧 @ 46A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050 pF @ 25 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.7 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050 pF @ 25 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.7 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：100W（Tc）
阈值电压：3.5V @ 46µA
栅极电荷：35 nC @ 10 V
输入电容：2410 pF @ 40 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：10 毫欧 @ 46A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
