采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：375W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：300 nC @ 10 V
输入电容：8970 pF @ 50 V
连续漏极电流：195A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.5 毫欧 @ 170A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA170N06
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：375W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：290 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：9350 pF @ 25 V
连续漏极电流：170A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：5.6 毫欧 @ 85A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：375W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：300 nC @ 10 V
输入电容：8970 pF @ 50 V
连续漏极电流：195A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.5 毫欧 @ 170A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：375W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：300 nC @ 10 V
输入电容：8970 pF @ 50 V
连续漏极电流：195A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.5 毫欧 @ 170A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：375W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：300 nC @ 10 V
输入电容：8970 pF @ 50 V
连续漏极电流：195A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.5 毫欧 @ 170A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：8970 pF @ 50 V
连续漏极电流：195A（Tc）
导通电阻：2.5 毫欧 @ 170A，10V
栅极电荷：300 nC @ 10 V
功率：375W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
漏源电压：60V
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
类型：N 通道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
漏源电压：60V
栅极电荷：29 nC @ 10 V
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
漏源电压：60V
栅极电荷：29 nC @ 10 V
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
漏源电压：60V
栅极电荷：29 nC @ 10 V
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
漏源电压：60V
栅极电荷：29 nC @ 10 V
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：130 nC @ 10 V
功率：200W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
漏源电压：60V
连续漏极电流：84A（Tc）
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
输入电容：3210 pF @ 25 V
类型：N 通道
导通电阻：12 毫欧 @ 50A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STP20NF06L
连续漏极电流：20A（Tc）
漏源电压：60V
类型：N 通道
导通电阻：70 毫欧 @ 10A，10V
功率：60W（Tc）
包装方式：管件
阈值电压：4V @ 250µA
输入电容：400 pF @ 25 V
栅极电荷：7.5 nC @ 10 V
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：2896}
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB86563-F085
输入电容：10100 pF @ 30 V
包装方式：卷带（TR）
功率：333W（Tc）
导通电阻：1.8 毫欧 @ 80A，10V
漏源电压：60V
类型：N 通道
连续漏极电流：110A（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
栅极电荷：163 nC @ 10 V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
