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    onsemi Mosfet场效应管 FDB8441 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB8441 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB8441

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:300W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:280 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15000 pF @ 25 V

    连续漏极电流:28A(Ta),120A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.5 毫欧 @ 80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPLU300N04S41R1XTMA1 起订数191个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPLU300N04S41R1XTMA1 起订数191个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:300W(Tc)

    阈值电压:4V @ 125µA

    栅极电荷:151 nC @ 10 V

    输入电容:12090 pF @ 25 V

    连续漏极电流:300A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.15 毫欧 @ 100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB8441 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB8441 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB8441

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:300W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:280 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15000 pF @ 25 V

    连续漏极电流:28A(Ta),120A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.5 毫欧 @ 80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB8441 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB8441 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB8441

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:300W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:280 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15000 pF @ 25 V

    连续漏极电流:28A(Ta),120A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.5 毫欧 @ 80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB8441 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB8441 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB8441

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:300W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:280 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15000 pF @ 25 V

    连续漏极电流:28A(Ta),120A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.5 毫欧 @ 80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFSL3207ZPBF 起订数1000个
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFSL3207ZPBF 起订数1000个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:300W(Tc)

    阈值电压:4V @ 150µA

    栅极电荷:170 nC @ 10 V

    输入电容:6920 pF @ 50 V

    连续漏极电流:120A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.1 毫欧 @ 75A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH26P20P 起订数100个
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH26P20P 起订数100个

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:300W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:56 nC @ 10 V

    输入电容:2740 pF @ 25 V

    连续漏极电流:26A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:170 毫欧 @ 13A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH26P20P 起订数40个
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH26P20P 起订数40个

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:300W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:56 nC @ 10 V

    输入电容:2740 pF @ 25 V

    连续漏极电流:26A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:170 毫欧 @ 13A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP400N4F6 起订数150个
    ST Mosfet场效应管 STP400N4F6 起订数150个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:300W(Tc)

    阈值电压:4.5V @ 250µA

    栅极电荷:377 nC @ 10 V

    输入电容:20000 pF @ 25 V

    连续漏极电流:120A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.7 毫欧 @ 60A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP360N4F6 起订数125个
    ST Mosfet场效应管 STP360N4F6 起订数125个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:300W(Tc)

    阈值电压:4.5V @ 250µA

    栅极电荷:340 nC @ 10 V

    输入电容:17930 pF @ 25 V

    连续漏极电流:120A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.8 毫欧 @ 60A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH26P20P 起订数30个
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH26P20P 起订数30个

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:300W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:56 nC @ 10 V

    输入电容:2740 pF @ 25 V

    连续漏极电流:26A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:170 毫欧 @ 13A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP400N4F6 起订数40个
    ST Mosfet场效应管 STP400N4F6 起订数40个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:300W(Tc)

    阈值电压:4.5V @ 250µA

    栅极电荷:377 nC @ 10 V

    输入电容:20000 pF @ 25 V

    连续漏极电流:120A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.7 毫欧 @ 60A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP360N4F6 起订数40个
    ST Mosfet场效应管 STP360N4F6 起订数40个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:300W(Tc)

    阈值电压:4.5V @ 250µA

    栅极电荷:340 nC @ 10 V

    输入电容:17930 pF @ 25 V

    连续漏极电流:120A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.8 毫欧 @ 60A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9606-75B,118 起订数100个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9606-75B,118 起订数100个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:300W(Tc)

    阈值电压:2V @ 1mA

    栅极电荷:95 nC @ 5 V

    输入电容:11693 pF @ 25 V

    连续漏极电流:75A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:5.5 毫欧 @ 25A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Littelfuse Mosfet场效应管 IXTA56N15T 起订5个装
    Littelfuse Mosfet场效应管 IXTA56N15T 起订5个装

    品牌:Littelfuse

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTA56N15T

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:300W(Tc)

    阈值电压:4.5V @ 250µA

    栅极电荷:34 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:2250 pF @ 25 V

    连续漏极电流:56A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:36 毫欧 @ 28A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF1324WL 起订数250个
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF1324WL 起订数250个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:300W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:180 nC @ 10 V

    输入电容:7630 pF @ 19 V

    连续漏极电流:240A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.3 毫欧 @ 195A,10V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB156N22NFDATMA1 起订数10个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB156N22NFDATMA1 起订数10个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:300W(Tc)

    阈值电压:4V @ 270µA

    栅极电荷:87 nC @ 10 V

    输入电容:6930 pF @ 110 V

    连续漏极电流:72A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:15.6 毫欧 @ 50A,10V

    漏源电压:220V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86363-F085 起订数10个
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86363-F085 起订数10个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:300W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:150 nC @ 10 V

    输入电容:10000 pF @ 40 V

    连续漏极电流:110A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.4 毫欧 @ 80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS3207ZTRRPBF 起订数100个
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS3207ZTRRPBF 起订数100个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:300W(Tc)

    阈值电压:4V @ 150µA

    栅极电荷:170 nC @ 10 V

    输入电容:6920 pF @ 50 V

    连续漏极电流:120A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.1 毫欧 @ 75A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86363-F085 起订数1个
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86363-F085 起订数1个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:300W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:150 nC @ 10 V

    输入电容:10000 pF @ 40 V

    连续漏极电流:110A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.4 毫欧 @ 80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86363-F085 起订数100个
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86363-F085 起订数100个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:300W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:150 nC @ 10 V

    输入电容:10000 pF @ 40 V

    连续漏极电流:110A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.4 毫欧 @ 80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF1324WL 起订数100个
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF1324WL 起订数100个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:300W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:180 nC @ 10 V

    输入电容:7630 pF @ 19 V

    连续漏极电流:240A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.3 毫欧 @ 195A,10V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF1324WL 起订数50个
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF1324WL 起订数50个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:300W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:180 nC @ 10 V

    输入电容:7630 pF @ 19 V

    连续漏极电流:240A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.3 毫欧 @ 195A,10V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB156N22NFDATMA1 起订数10个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB156N22NFDATMA1 起订数10个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:300W(Tc)

    阈值电压:4V @ 270µA

    栅极电荷:87 nC @ 10 V

    输入电容:6930 pF @ 110 V

    连续漏极电流:72A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:15.6 毫欧 @ 50A,10V

    漏源电压:220V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86363-F085 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86363-F085 起订数500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:300W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:150 nC @ 10 V

    输入电容:10000 pF @ 40 V

    连续漏极电流:110A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.4 毫欧 @ 80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86363-F085 起订数250个
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86363-F085 起订数250个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:300W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:150 nC @ 10 V

    输入电容:10000 pF @ 40 V

    连续漏极电流:110A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.4 毫欧 @ 80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB156N22NFDATMA1 起订数100个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB156N22NFDATMA1 起订数100个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:300W(Tc)

    阈值电压:4V @ 270µA

    栅极电荷:87 nC @ 10 V

    输入电容:6930 pF @ 110 V

    连续漏极电流:72A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:15.6 毫欧 @ 50A,10V

    漏源电压:220V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86363-F085 起订数25个
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86363-F085 起订数25个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:300W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:150 nC @ 10 V

    输入电容:10000 pF @ 40 V

    连续漏极电流:110A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.4 毫欧 @ 80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86363-F085 起订数800个
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86363-F085 起订数800个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:300W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:150 nC @ 10 V

    输入电容:10000 pF @ 40 V

    连续漏极电流:110A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.4 毫欧 @ 80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB156N22NFDATMA1 起订数100个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB156N22NFDATMA1 起订数100个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:300W(Tc)

    阈值电压:4V @ 270µA

    栅极电荷:87 nC @ 10 V

    输入电容:6930 pF @ 110 V

    连续漏极电流:72A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:15.6 毫欧 @ 50A,10V

    漏源电压:220V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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