品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8441
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:280 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000 pF @ 25 V
连续漏极电流:28A(Ta),120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.5 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4V @ 125µA
栅极电荷:151 nC @ 10 V
输入电容:12090 pF @ 25 V
连续漏极电流:300A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.15 毫欧 @ 100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8441
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:280 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000 pF @ 25 V
连续漏极电流:28A(Ta),120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.5 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8441
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:280 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000 pF @ 25 V
连续漏极电流:28A(Ta),120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.5 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8441
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:280 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000 pF @ 25 V
连续漏极电流:28A(Ta),120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.5 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4V @ 150µA
栅极电荷:170 nC @ 10 V
输入电容:6920 pF @ 50 V
连续漏极电流:120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 75A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:56 nC @ 10 V
输入电容:2740 pF @ 25 V
连续漏极电流:26A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:170 毫欧 @ 13A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:56 nC @ 10 V
输入电容:2740 pF @ 25 V
连续漏极电流:26A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:170 毫欧 @ 13A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
栅极电荷:377 nC @ 10 V
输入电容:20000 pF @ 25 V
连续漏极电流:120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.7 毫欧 @ 60A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
栅极电荷:340 nC @ 10 V
输入电容:17930 pF @ 25 V
连续漏极电流:120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.8 毫欧 @ 60A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:56 nC @ 10 V
输入电容:2740 pF @ 25 V
连续漏极电流:26A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:170 毫欧 @ 13A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
栅极电荷:377 nC @ 10 V
输入电容:20000 pF @ 25 V
连续漏极电流:120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.7 毫欧 @ 60A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
栅极电荷:340 nC @ 10 V
输入电容:17930 pF @ 25 V
连续漏极电流:120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.8 毫欧 @ 60A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:2V @ 1mA
栅极电荷:95 nC @ 5 V
输入电容:11693 pF @ 25 V
连续漏极电流:75A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:5.5 毫欧 @ 25A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA56N15T
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
栅极电荷:34 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:2250 pF @ 25 V
连续漏极电流:56A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:36 毫欧 @ 28A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:180 nC @ 10 V
输入电容:7630 pF @ 19 V
连续漏极电流:240A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.3 毫欧 @ 195A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4V @ 270µA
栅极电荷:87 nC @ 10 V
输入电容:6930 pF @ 110 V
连续漏极电流:72A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:15.6 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:220V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:150 nC @ 10 V
输入电容:10000 pF @ 40 V
连续漏极电流:110A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.4 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4V @ 150µA
栅极电荷:170 nC @ 10 V
输入电容:6920 pF @ 50 V
连续漏极电流:120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 75A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:150 nC @ 10 V
输入电容:10000 pF @ 40 V
连续漏极电流:110A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.4 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:150 nC @ 10 V
输入电容:10000 pF @ 40 V
连续漏极电流:110A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.4 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:180 nC @ 10 V
输入电容:7630 pF @ 19 V
连续漏极电流:240A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.3 毫欧 @ 195A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:180 nC @ 10 V
输入电容:7630 pF @ 19 V
连续漏极电流:240A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.3 毫欧 @ 195A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4V @ 270µA
栅极电荷:87 nC @ 10 V
输入电容:6930 pF @ 110 V
连续漏极电流:72A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:15.6 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:220V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:150 nC @ 10 V
输入电容:10000 pF @ 40 V
连续漏极电流:110A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.4 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:150 nC @ 10 V
输入电容:10000 pF @ 40 V
连续漏极电流:110A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.4 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4V @ 270µA
栅极电荷:87 nC @ 10 V
输入电容:6930 pF @ 110 V
连续漏极电流:72A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:15.6 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:220V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:150 nC @ 10 V
输入电容:10000 pF @ 40 V
连续漏极电流:110A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.4 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:150 nC @ 10 V
输入电容:10000 pF @ 40 V
连续漏极电流:110A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.4 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4V @ 270µA
栅极电荷:87 nC @ 10 V
输入电容:6930 pF @ 110 V
连续漏极电流:72A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:15.6 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:220V
包装清单:商品主体 * 1
库存: