品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86106LZ
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.2W(Ta)
阈值电压:2.2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315 pF @ 50 V
连续漏极电流:3.2A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:108 毫欧 @ 3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86106LZ
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.2W(Ta)
阈值电压:2.2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315 pF @ 50 V
连续漏极电流:3.2A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:108 毫欧 @ 3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":7730}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86106LZ
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.2W(Ta)
阈值电压:2.2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315 pF @ 50 V
连续漏极电流:3.2A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:108 毫欧 @ 3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH75N10L2
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:400W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
栅极电荷:215 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:8100 pF @ 25 V
连续漏极电流:75A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:21 毫欧 @ 500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP150N10
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:110W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
栅极电荷:69 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:4760 pF @ 25 V
连续漏极电流:57A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:15 毫欧 @ 49A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP150N10
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:110W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
栅极电荷:69 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:4760 pF @ 25 V
连续漏极电流:57A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:15 毫欧 @ 49A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RFP12N10L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:60W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:900 pF @ 25 V
连续漏极电流:12A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:200 毫欧 @ 12A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86106LZ
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.2W(Ta)
阈值电压:2.2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315 pF @ 50 V
连续漏极电流:3.2A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:108 毫欧 @ 3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86106LZ
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.2W(Ta)
阈值电压:2.2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315 pF @ 50 V
连续漏极电流:3.2A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:108 毫欧 @ 3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86106LZ
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.2W(Ta)
阈值电压:2.2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315 pF @ 50 V
连续漏极电流:3.2A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:108 毫欧 @ 3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTK200N10L2
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1040W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 3mA
栅极电荷:540 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:23000 pF @ 25 V
连续漏极电流:200A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:11 毫欧 @ 100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RFP12N10L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:60W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
包装方式:管件
输入电容:900 pF @ 25 V
连续漏极电流:12A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:200 毫欧 @ 12A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86106LZ
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.2W(Ta)
阈值电压:2.2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315 pF @ 50 V
连续漏极电流:3.2A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:108 毫欧 @ 3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTK200N10L2
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1040W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 3mA
栅极电荷:540 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:23000 pF @ 25 V
连续漏极电流:200A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:11 毫欧 @ 100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTK200N10L2
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1040W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 3mA
栅极电荷:540 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:23000 pF @ 25 V
连续漏极电流:200A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:11 毫欧 @ 100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTK200N10L2
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1040W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 3mA
栅极电荷:540 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:23000 pF @ 25 V
连续漏极电流:200A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:11 毫欧 @ 100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86106LZ
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.2W(Ta)
阈值电压:2.2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315 pF @ 50 V
连续漏极电流:3.2A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:108 毫欧 @ 3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86106LZ
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.2W(Ta)
阈值电压:2.2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315 pF @ 50 V
连续漏极电流:3.2A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:108 毫欧 @ 3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86106LZ
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.2W(Ta)
阈值电压:2.2V @ 250µA
栅极电荷:7 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315 pF @ 50 V
连续漏极电流:3.2A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:108 毫欧 @ 3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP150N10
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:110W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:4760 pF @ 25 V
连续漏极电流:57A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:15 毫欧 @ 49A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTX200N10L2
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1040W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 3mA
栅极电荷:540 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:23000 pF @ 25 V
连续漏极电流:200A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:11 毫欧 @ 100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RFP12N10L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:60W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:900 pF @ 25 V
连续漏极电流:12A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:200 毫欧 @ 12A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RFP12N10L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:60W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
包装方式:管件
输入电容:900 pF @ 25 V
连续漏极电流:12A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:200 毫欧 @ 12A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTK200N10L2
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1040W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 3mA
栅极电荷:540 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:23000 pF @ 25 V
连续漏极电流:200A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:11 毫欧 @ 100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RFP12N10L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:60W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
包装方式:管件
输入电容:900 pF @ 25 V
连续漏极电流:12A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:200 毫欧 @ 12A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1064,"MI+":3788}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLM120ATF
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.7W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15 nC @ 5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440 pF @ 25 V
连续漏极电流:2.3A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:220 毫欧 @ 1.15A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86106LZ
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.2W(Ta)
阈值电压:2.2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315 pF @ 50 V
连续漏极电流:3.2A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:108 毫欧 @ 3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP150N10
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:110W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
栅极电荷:69 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:4760 pF @ 25 V
连续漏极电流:57A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:15 毫欧 @ 49A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RFP12N10L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:60W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
包装方式:管件
输入电容:900 pF @ 25 V
连续漏极电流:12A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:200 毫欧 @ 12A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTK200N10L2
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1040W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 3mA
栅极电荷:540 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:23000 pF @ 25 V
连续漏极电流:200A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:11 毫欧 @ 100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: