品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMS5P02R2G
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
阈值电压:1.25V @ 250µA
栅极电荷:35 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900 pF @ 16 V
连续漏极电流:3.95A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:33 毫欧 @ 5.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMS5P02R2G
栅极电荷:35 nC @ 4.5 V
类型:P 通道
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:33 毫欧 @ 5.4A,4.5V
连续漏极电流:3.95A(Ta)
漏源电压:20V
输入电容:1900 pF @ 16 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
阈值电压:1.25V @ 250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMGD175XNEX
输入电容:81pF @ 15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
阈值电压:1.25V @ 250µA
栅极电荷:1.65nC @ 4.5V
连续漏极电流:870mA(Ta)
导通电阻:252 毫欧 @ 900mA,4.5V
类型:2 N-通道(双)
功率:260mW(Ta)
包装清单:商品主体 * 1
库存: