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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2145
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFR5410TRL
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：66W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760 pF @ 25 V
连续漏极电流：13A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：205 毫欧 @ 7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2331
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7252ADP-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.6W（Ta），33.8W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.5nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1266pF @ 50V
连续漏极电流：9.3A（Ta），28.7A（Tc）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：18.6 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17E6QTA
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.1W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：10.7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424 pF @ 50 V
连续漏极电流：1.3A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：350 毫欧 @ 1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2331
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7252ADP-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.6W（Ta），33.8W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.5nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1266pF @ 50V
连续漏极电流：9.3A（Ta），28.7A（Tc）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：18.6 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2145
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFR5410TRL
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：66W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760 pF @ 25 V
连续漏极电流：13A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：205 毫欧 @ 7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD86100
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF @ 50V
连续漏极电流：10A
类型：2 N 沟道（双）共源
导通电阻：10.5 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2331
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7252ADP-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.6W（Ta），33.8W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.5nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1266pF @ 50V
连续漏极电流：9.3A（Ta），28.7A（Tc）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：18.6 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2145
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFR5410TRL
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：66W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760 pF @ 25 V
连续漏极电流：13A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：205 毫欧 @ 7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800100DC
包装方式：卷带（TR）
功率：3.2W（Ta），156W（Tc）
栅极电荷：111 nC @ 10 V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
类型：N 通道
输入电容：7835 pF @ 50 V
导通电阻：2.95 毫欧 @ 24A，10V
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
连续漏极电流：24A（Ta），162A（Tc）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800100DC
包装方式：卷带（TR）
功率：3.2W（Ta），156W（Tc）
栅极电荷：111 nC @ 10 V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
类型：N 通道
输入电容：7835 pF @ 50 V
导通电阻：2.95 毫欧 @ 24A，10V
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
连续漏极电流：24A（Ta），162A（Tc）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT7N10TF
连续漏极电流：1.7A（Tc）
导通电阻：350 毫欧 @ 850mA，10V
包装方式：卷带（TR）
功率：2W（Tc）
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
类型：N 通道
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5 nC @ 10 V
输入电容：250 pF @ 25 V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：2331
规格型号(MPN)：SI7252ADP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.3A（Ta），28.7A（Tc）
导通电阻：18.6 毫欧 @ 10A，10V
输入电容：1266pF @ 50V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
类型：2 N-通道（双）
阈值电压：4V @ 250µA
功率：3.6W（Ta），33.8W（Tc）
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
栅极电荷：26.5nC @ 10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86163P
类型：P 通道
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：22 毫欧 @ 7.9A，10V
输入电容：4085 pF @ 50 V
连续漏极电流：7.9A（Ta），50A（Tc）
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
栅极电荷：59 nC @ 10 V
阈值电压：4V @ 250µA
功率：2.5W（Ta），104W（Tc）
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
