品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800100DC
包装方式:卷带(TR)
功率:3.2W(Ta),156W(Tc)
栅极电荷:111 nC @ 10 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
类型:N 通道
输入电容:7835 pF @ 50 V
导通电阻:2.95 毫欧 @ 24A,10V
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
连续漏极电流:24A(Ta),162A(Tc)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800100DC
包装方式:卷带(TR)
功率:3.2W(Ta),156W(Tc)
栅极电荷:111 nC @ 10 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
类型:N 通道
输入电容:7835 pF @ 50 V
导通电阻:2.95 毫欧 @ 24A,10V
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
连续漏极电流:24A(Ta),162A(Tc)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT7N10TF
连续漏极电流:1.7A(Tc)
导通电阻:350 毫欧 @ 850mA,10V
包装方式:卷带(TR)
功率:2W(Tc)
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
类型:N 通道
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.5 nC @ 10 V
输入电容:250 pF @ 25 V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: