采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：0.9 nC @ 4.5 V
输入电容：64 pF @ 25 V
连续漏极电流：320mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：2 欧姆 @ 100mA，4V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：200mW（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
输入电容：25 pF @ 10 V
连续漏极电流：160mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：4 欧姆 @ 100mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：200mW（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
输入电容：25 pF @ 10 V
连续漏极电流：160mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：4 欧姆 @ 100mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：0.95 nC @ 4.5 V
输入电容：36 pF @ 25 V
连续漏极电流：500mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：1.45 欧姆 @ 500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2W（Ta），3.5W（Tc）
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：24 nC @ 8 V
输入电容：860 pF @ 10 V
连续漏极电流：8A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：27 毫欧 @ 5.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA410NZT-F130
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：900mW（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310 pF @ 10 V
连续漏极电流：9.5A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：23 毫欧 @ 9.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：200mW（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
输入电容：25 pF @ 10 V
连续漏极电流：160mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：4 欧姆 @ 100mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：1V @ 250µA
导通电阻：4 欧姆 @ 100mA，4V
漏源电压：50V
连续漏极电流：160mA（Ta）
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
类型：N 通道
功率：200mW（Ta）
输入电容：25 pF @ 10 V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
