采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta），15.6W（Tc）
阈值电压：2.7V @ 250µA
栅极电荷：7.2 nC @ 10 V
输入电容：215 pF @ 40 V
连续漏极电流：1.9A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：230 毫欧 @ 1.9A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta），15.6W（Tc）
阈值电压：2.7V @ 250µA
栅极电荷：7.2 nC @ 10 V
输入电容：215 pF @ 40 V
连续漏极电流：1.9A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：230 毫欧 @ 1.9A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：750mW（Ta）
阈值电压：2.7V @ 250µA
栅极电荷：4.4 nC @ 10 V
输入电容：112 pF @ 50 V
连续漏极电流：1.1A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：715 毫欧 @ 1.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3669S
阈值电压：2.7V @ 250µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：10 毫欧 @ 13A，10V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
类型：2 N 沟道（双）非对称型
连续漏极电流：13A，18A
栅极电荷：24nC @ 10V
输入电容：1605pF @ 15V
功率：1W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3A
阈值电压：2.7V @ 250µA
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：14.5 nC @ 10 V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
连续漏极电流：60A（Tc）
漏源电压：60V
类型：N 通道
功率：66W（Tc）
输入电容：1150 pF @ 30 V
导通电阻：9.9 毫欧 @ 12A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
