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    阈值电压: 2.4V @ 250µA
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12BDP-T1-GE3 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12BDP-T1-GE3 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA12BDP-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:5W(Ta),38W(Tc)

    阈值电压:2.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1470 pF @ 15 V

    连续漏极电流:27A(Ta),60A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.3 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12BDP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12BDP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA12BDP-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:5W(Ta),38W(Tc)

    阈值电压:2.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1470 pF @ 15 V

    连续漏极电流:27A(Ta),60A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.3 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12BDP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12BDP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA12BDP-T1-GE3

    栅极电荷:32 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:27A(Ta),60A(Tc)

    输入电容:1470 pF @ 15 V

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.3 毫欧 @ 10A,10V

    功率:5W(Ta),38W(Tc)

    阈值电压:2.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ322DT-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ322DT-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:16.7W(Tc)

    阈值电压:2.4V @ 250µA

    栅极电荷:20.1nC @ 10V

    输入电容:950pF @ 12.5V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:6.35 毫欧 @ 15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ320DT-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ320DT-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:16.7W,31W

    阈值电压:2.4V @ 250µA

    栅极电荷:8.9nC @ 4.5V,11.9nC @ 4.5V

    输入电容:660pF @ 12.5V,1370pF @ 12.5V

    连续漏极电流:30A(Tc),40A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:8.3 毫欧 @ 8A,10V,4.24 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ320DT-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ320DT-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:16.7W,31W

    阈值电压:2.4V @ 250µA

    栅极电荷:8.9nC @ 4.5V,11.9nC @ 4.5V

    输入电容:660pF @ 12.5V,1370pF @ 12.5V

    连续漏极电流:30A(Tc),40A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:8.3 毫欧 @ 8A,10V,4.24 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ322DT-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ322DT-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:16.7W(Tc)

    阈值电压:2.4V @ 250µA

    栅极电荷:20.1nC @ 10V

    输入电容:950pF @ 12.5V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:6.35 毫欧 @ 15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ322DT-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ322DT-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:16.7W(Tc)

    阈值电压:2.4V @ 250µA

    栅极电荷:20.1nC @ 10V

    输入电容:950pF @ 12.5V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:6.35 毫欧 @ 15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ322DT-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ322DT-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:16.7W(Tc)

    阈值电压:2.4V @ 250µA

    栅极电荷:20.1nC @ 10V

    输入电容:950pF @ 12.5V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:6.35 毫欧 @ 15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ320DT-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ320DT-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:16.7W,31W

    阈值电压:2.4V @ 250µA

    栅极电荷:8.9nC @ 4.5V,11.9nC @ 4.5V

    输入电容:660pF @ 12.5V,1370pF @ 12.5V

    连续漏极电流:30A(Tc),40A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:8.3 毫欧 @ 8A,10V,4.24 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ320DT-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ320DT-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:16.7W,31W

    阈值电压:2.4V @ 250µA

    栅极电荷:8.9nC @ 4.5V,11.9nC @ 4.5V

    输入电容:660pF @ 12.5V,1370pF @ 12.5V

    连续漏极电流:30A(Tc),40A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:8.3 毫欧 @ 8A,10V,4.24 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

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