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    工作温度: -55°C~150°C(TJ)
    阈值电压: 1.4V @ 250µA
    当前匹配商品:8
    商品信息
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443BDV-T1-E3 起订数42000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443BDV-T1-E3 起订数42000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.1W(Ta)

    阈值电压:1.4V @ 250µA

    栅极电荷:9 nC @ 4.5 V

    连续漏极电流:3.6A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:60 毫欧 @ 4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA923EDJ-T1-GE3 起订数1500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA923EDJ-T1-GE3 起订数1500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:7.8W

    阈值电压:1.4V @ 250µA

    栅极电荷:25nC @ 8V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2 个 P 沟道(双)

    导通电阻:54 毫欧 @ 3.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA923EDJ-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA923EDJ-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:7.8W

    阈值电压:1.4V @ 250µA

    栅极电荷:25nC @ 8V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2 个 P 沟道(双)

    导通电阻:54 毫欧 @ 3.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA923EDJ-T1-GE3 起订数3000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA923EDJ-T1-GE3 起订数3000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:7.8W

    阈值电压:1.4V @ 250µA

    栅极电荷:25nC @ 8V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2 个 P 沟道(双)

    导通电阻:54 毫欧 @ 3.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA923EDJ-T1-GE3 起订数750个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA923EDJ-T1-GE3 起订数750个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:7.8W

    阈值电压:1.4V @ 250µA

    栅极电荷:25nC @ 8V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2 个 P 沟道(双)

    导通电阻:54 毫欧 @ 3.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD85312Q3E 起订数5000个
    TI Mosfet场效应管 CSD85312Q3E 起订数5000个

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W

    阈值电压:1.4V @ 250µA

    栅极电荷:15.2nC @ 4.5V

    输入电容:2390pF @ 10V

    连续漏极电流:39A

    类型:2 N 沟道(双)共源

    导通电阻:12.4 毫欧 @ 10A,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA923EDJ-T1-GE3 起订数3000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA923EDJ-T1-GE3 起订数3000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    阈值电压:1.4V @ 250µA

    漏源电压:20V

    类型:2 个 P 沟道(双)

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    栅极电荷:25nC @ 8V

    连续漏极电流:4.5A

    导通电阻:54 毫欧 @ 3.8A,4.5V

    功率:7.8W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA923EDJ-T1-GE3 起订数750个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA923EDJ-T1-GE3 起订数750个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    阈值电压:1.4V @ 250µA

    漏源电压:20V

    类型:2 个 P 沟道(双)

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    栅极电荷:25nC @ 8V

    连续漏极电流:4.5A

    导通电阻:54 毫欧 @ 3.8A,4.5V

    功率:7.8W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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