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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2334
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：104W（Tc）
阈值电压：3.4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78 nC @ 7.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130 pF @ 30 V
连续漏极电流：100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.7 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2334
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规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：104W（Tc）
阈值电压：3.4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78 nC @ 7.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130 pF @ 30 V
连续漏极电流：100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.7 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：104W（Tc）
阈值电压：3.4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78 nC @ 7.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130 pF @ 30 V
连续漏极电流：100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.7 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：60V
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输入电容：5130 pF @ 30 V
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类型：N 通道
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输入电容：5130 pF @ 30 V
连续漏极电流：100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.7 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：60V
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输入电容：5130 pF @ 30 V
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连续漏极电流：100A（Tc）
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漏源电压：60V
类型：N 通道
功率：104W（Tc）
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栅极电荷：78 nC @ 7.5 V
阈值电压：3.4V @ 250µA
ECCN：EAR99
导通电阻：1.7 毫欧 @ 20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
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