品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.7W
阈值电压:2.1V @ 250µA
栅极电荷:17.4nC @ 10V
输入电容:751pF @ 10V
连续漏极电流:9.4A,6.8A
类型:N 和 P 沟道,共漏
导通电阻:21 毫欧 @ 7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.7W
阈值电压:2.1V @ 250µA
栅极电荷:17.4nC @ 10V
输入电容:751pF @ 10V
连续漏极电流:9.4A,6.8A
类型:N 和 P 沟道,共漏
导通电阻:21 毫欧 @ 7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.7W
阈值电压:2.1V @ 250µA
栅极电荷:17.4nC @ 10V
输入电容:751pF @ 10V
连续漏极电流:9.4A,6.8A
类型:N 和 P 沟道,共漏
导通电阻:21 毫欧 @ 7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.7W
阈值电压:2.1V @ 250µA
栅极电荷:17.4nC @ 10V
输入电容:751pF @ 10V
连续漏极电流:9.4A,6.8A
类型:N 和 P 沟道,共漏
导通电阻:21 毫欧 @ 7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
漏源电压:30V
导通电阻:21 毫欧 @ 7A,10V
栅极电荷:17.4nC @ 10V
输入电容:751pF @ 10V
连续漏极电流:9.4A,6.8A
类型:N 和 P 沟道,共漏
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
阈值电压:2.1V @ 250µA
功率:2.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存: