品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8447L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),60W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:52 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620 pF @ 20 V
连续漏极电流:15A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.5 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8447L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),60W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:52 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620 pF @ 20 V
连续漏极电流:15A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.5 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:170W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:52 nC @ 10 V
输入电容:1423 pF @ 25 V
连续漏极电流:11A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:520 毫欧 @ 6.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":2400,"MI+":1600}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8447L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),60W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620 pF @ 20 V
连续漏极电流:15A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.5 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":2400,"MI+":1600}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8447L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),60W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620 pF @ 20 V
连续漏极电流:15A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.5 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8447L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),60W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:52 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620 pF @ 20 V
连续漏极电流:15A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.5 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8447L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),60W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:52 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620 pF @ 20 V
连续漏极电流:15A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.5 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":2400,"MI+":1600}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8447L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),60W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620 pF @ 20 V
连续漏极电流:15A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.5 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8447L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),60W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:52 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620 pF @ 20 V
连续漏极电流:15A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.5 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":2400,"MI+":1600}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8447L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),60W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620 pF @ 20 V
连续漏极电流:15A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.5 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8447L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),60W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:52 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620 pF @ 20 V
连续漏极电流:15A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.5 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8447L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),60W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:52 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620 pF @ 20 V
连续漏极电流:15A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.5 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8447L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),60W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:52 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620 pF @ 20 V
连续漏极电流:15A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.5 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8447L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),60W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:52 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620 pF @ 20 V
连续漏极电流:15A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.5 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8447L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),60W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:52 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620 pF @ 20 V
连续漏极电流:15A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.5 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8447L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),60W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:52 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620 pF @ 20 V
连续漏极电流:15A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.5 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB8447L
功率:3.1W(Ta),60W(Tc)
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:52 nC @ 10 V
漏源电压:40V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
类型:N 通道
导通电阻:8.5 毫欧 @ 14A,10V
输入电容:2620 pF @ 20 V
阈值电压:3V @ 250µA
连续漏极电流:15A(Ta),50A(Tc)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB8447L
功率:3.1W(Ta),60W(Tc)
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:52 nC @ 10 V
漏源电压:40V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
类型:N 通道
导通电阻:8.5 毫欧 @ 14A,10V
输入电容:2620 pF @ 20 V
阈值电压:3V @ 250µA
连续漏极电流:15A(Ta),50A(Tc)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB8447L
功率:3.1W(Ta),60W(Tc)
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:52 nC @ 10 V
漏源电压:40V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
类型:N 通道
导通电阻:8.5 毫欧 @ 14A,10V
输入电容:2620 pF @ 20 V
阈值电压:3V @ 250µA
连续漏极电流:15A(Ta),50A(Tc)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP11N60
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:125W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:1490 pF @ 25 V
连续漏极电流:11A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:380 毫欧 @ 5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP11N60
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:125W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:1490 pF @ 25 V
连续漏极电流:11A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:380 毫欧 @ 5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP11N60
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:125W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:1490 pF @ 25 V
连续漏极电流:11A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:380 毫欧 @ 5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8447L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),60W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:52 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620 pF @ 20 V
连续漏极电流:15A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.5 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":2400,"MI+":1600}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8447L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),60W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620 pF @ 20 V
连续漏极电流:15A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.5 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.1W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
栅极电荷:52 nC @ 10 V
输入电容:3680 pF @ 20 V
连续漏极电流:22A(Ta),40A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.5 毫欧 @ 20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8447L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),60W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:52 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620 pF @ 20 V
连续漏极电流:15A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.5 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: