采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：12 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"21+"：2919}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：20891}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC080P03LSGAUMA1
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），89W（Tc）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6140 pF @ 15 V
连续漏极电流：16A（Ta），30A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：8 毫欧 @ 30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO130P03SHXUMA1
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.56W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 140µA
栅极电荷：81 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3520 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.2A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：13 毫欧 @ 11.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO130P03SHXUMA1
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.56W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 140µA
栅极电荷：81 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3520 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.2A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：13 毫欧 @ 11.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：8400，"23+"：4937，"MI+"：2371}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO130P03SHXUMA1
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.56W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3520 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.2A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：13 毫欧 @ 11.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：20891}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC080P03LSGAUMA1
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），89W（Tc）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6140 pF @ 15 V
连续漏极电流：16A（Ta），30A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：8 毫欧 @ 30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：20891}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC080P03LSGAUMA1
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），89W（Tc）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6140 pF @ 15 V
连续漏极电流：16A（Ta），30A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：8 毫欧 @ 30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：12 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：8400，"23+"：4937，"MI+"：2371}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO130P03SHXUMA1
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.56W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3520 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.2A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：13 毫欧 @ 11.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO130P03SHXUMA1
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.56W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 140µA
栅极电荷：81 nC @ 10 V
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输入电容：3520 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.2A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：13 毫欧 @ 11.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
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栅极电荷：12 nC @ 5 V
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连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO130P03SHXUMA1
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.56W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 140µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：3520 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.2A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：13 毫欧 @ 11.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：12 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
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输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：8400，"23+"：4937，"MI+"：2371}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO130P03SHXUMA1
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.56W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3520 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.2A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：13 毫欧 @ 11.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：20891}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC080P03LSGAUMA1
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），89W（Tc）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6140 pF @ 15 V
连续漏极电流：16A（Ta），30A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：8 毫欧 @ 30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：12 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC4435BZ-F127-L701
类型：P 通道
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：20 毫欧 @ 8.5A，10V
连续漏极电流：8.5A（Ta），18A（Tc）
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.3W（Ta），31W（Tc）
ECCN：EAR99
栅极电荷：53 nC @ 10 V
输入电容：2045 pF @ 15 V
阈值电压：3V @ 250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
