采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFR220TRL-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），42W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：14 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260 pF @ 25 V
连续漏极电流：4.8A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：800 毫欧 @ 2.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：18 nC @ 10 V
连续漏极电流：1.7A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：240 毫欧 @ 2.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFR220TRL-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），42W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：14 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260 pF @ 25 V
连续漏极电流：4.8A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：800 毫欧 @ 2.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFR220TRL-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），42W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：14 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260 pF @ 25 V
连续漏极电流：4.8A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：800 毫欧 @ 2.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7820DN-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.7A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：240 毫欧 @ 2.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：74W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：29 nC @ 10 V
输入电容：700 pF @ 25 V
连续漏极电流：6.5A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：800 毫欧 @ 3.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：14 nC @ 10 V
输入电容：260 pF @ 25 V
连续漏极电流：800mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：800 毫欧 @ 480mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2W（Ta），3.1W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：8.2 nC @ 10 V
输入电容：140 pF @ 25 V
连续漏极电流：960mA（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.5 欧姆 @ 580mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.56W（Ta）
阈值电压：2V @ 250µA（最小）
栅极电荷：42 nC @ 10 V
连续漏极电流：2.85A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：80 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2W（Ta），3.1W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：8.2 nC @ 10 V
输入电容：140 pF @ 25 V
连续漏极电流：960mA（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.5 欧姆 @ 580mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：18 nC @ 10 V
连续漏极电流：1.7A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：240 毫欧 @ 2.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：14 nC @ 10 V
输入电容：260 pF @ 25 V
连续漏极电流：800mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：800 毫欧 @ 480mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：14 nC @ 10 V
输入电容：260 pF @ 25 V
连续漏极电流：800mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：800 毫欧 @ 480mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.56W（Ta）
阈值电压：2V @ 250µA（最小）
栅极电荷：42 nC @ 10 V
连续漏极电流：2.85A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：80 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2W（Ta），3.1W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：8.2 nC @ 10 V
输入电容：140 pF @ 25 V
连续漏极电流：960mA（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.5 欧姆 @ 580mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：14 nC @ 10 V
输入电容：260 pF @ 25 V
连续漏极电流：800mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：800 毫欧 @ 480mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：50W（Tc）
阈值电压：2V @ 250µA
栅极电荷：16 nC @ 5 V
输入电容：360 pF @ 25 V
连续漏极电流：5.2A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：800 毫欧 @ 3.1A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），25W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：8.9 nC @ 10 V
输入电容：170 pF @ 25 V
连续漏极电流：1.9A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：3 欧姆 @ 1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：36W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：8.2 nC @ 10 V
输入电容：140 pF @ 25 V
连续漏极电流：3.3A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.5 欧姆 @ 2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：36W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：8.2 nC @ 10 V
输入电容：140 pF @ 25 V
连续漏极电流：3.3A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.5 欧姆 @ 2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），42W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：14 nC @ 10 V
输入电容：260 pF @ 25 V
连续漏极电流：4.8A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：800 毫欧 @ 2.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），42W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：14 nC @ 10 V
输入电容：260 pF @ 25 V
连续漏极电流：4.8A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：800 毫欧 @ 2.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2W（Ta），3.1W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：8.2 nC @ 10 V
输入电容：140 pF @ 25 V
连续漏极电流：960mA（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.5 欧姆 @ 580mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR624DP-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：52W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23 nC @ 7.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110 pF @ 100 V
连续漏极电流：18.6A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：60 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：14 nC @ 10 V
输入电容：260 pF @ 25 V
功率：2.5W（Ta），42W（Tc）
导通电阻：800 毫欧 @ 2.9A，10V
连续漏极电流：4.8A（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
类型：N 通道
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
