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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2334

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:104W(Tc)

    阈值电压:3.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78 nC @ 7.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130 pF @ 30 V

    连续漏极电流:100A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR638DP-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR638DP-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:125W(Tc)

    阈值电压:2.3V @ 250µA

    栅极电荷:204 nC @ 10 V

    输入电容:10500 pF @ 20 V

    连续漏极电流:100A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:0.88 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2334

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:104W(Tc)

    阈值电压:3.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78 nC @ 7.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130 pF @ 30 V

    连续漏极电流:100A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订250个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订250个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2334

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:104W(Tc)

    阈值电压:3.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78 nC @ 7.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130 pF @ 30 V

    连续漏极电流:100A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订15000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订15000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2334

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:104W(Tc)

    阈值电压:3.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78 nC @ 7.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130 pF @ 30 V

    连续漏极电流:100A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2334

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:104W(Tc)

    阈值电压:3.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78 nC @ 7.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130 pF @ 30 V

    连续漏极电流:100A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2334

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:104W(Tc)

    阈值电压:3.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78 nC @ 7.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130 pF @ 30 V

    连续漏极电流:100A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:2334

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:100A(Tc)

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    漏源电压:60V

    类型:N 通道

    功率:104W(Tc)

    输入电容:5130 pF @ 30 V

    栅极电荷:78 nC @ 7.5 V

    阈值电压:3.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    生产批次:2334

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:100A(Tc)

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    漏源电压:60V

    类型:N 通道

    功率:104W(Tc)

    输入电容:5130 pF @ 30 V

    栅极电荷:78 nC @ 7.5 V

    阈值电压:3.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR638DP-T1-GE3 起订数6000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR638DP-T1-GE3 起订数6000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    导通电阻:0.88 毫欧 @ 20A,10V

    输入电容:10500 pF @ 20 V

    功率:104W(Tc)

    连续漏极电流:100A(Tc)

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.3V @ 250µA

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    栅极电荷:204 nC @ 10 V

    类型:N 通道

    包装清单:商品主体 * 1

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