品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610 pF @ 100 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:117 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:45 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:117 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2734
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2734
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2734
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2734
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2734
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDS2734
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品牌:ON SEMI
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2734
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45 nC @ 10 V
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输入电容:2610 pF @ 100 V
连续漏极电流:3A(Ta)
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导通电阻:117 毫欧 @ 3A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
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导通电阻:117 毫欧 @ 3A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
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连续漏极电流:3A(Ta)
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导通电阻:117 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
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连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:117 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45 nC @ 10 V
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输入电容:2610 pF @ 100 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:117 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610 pF @ 100 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:117 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45 nC @ 10 V
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连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:117 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
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ECCN:EAR99
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导通电阻:117 毫欧 @ 3A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2734
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDS2734
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2734
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连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2734
包装方式:卷带(TR)
功率:2.5W(Ta)
输入电容:2610 pF @ 100 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
漏源电压:250V
类型:N 通道
导通电阻:117 毫欧 @ 3A,10V
连续漏极电流:3A(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:45 nC @ 10 V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1W(Tc)
阈值电压:1.5V @ 1mA
栅极电荷:2.1 nC @ 4.5 V
输入电容:240 pF @ 15 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:75 毫欧 @ 3A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:600mW(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:12.3 nC @ 10 V
输入电容:606 pF @ 20 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:85 毫欧 @ 1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:600mW(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:12.3 nC @ 10 V
输入电容:606 pF @ 20 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:85 毫欧 @ 1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:600mW(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:12.3 nC @ 10 V
输入电容:606 pF @ 20 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:85 毫欧 @ 1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610 pF @ 100 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:117 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:600mW(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:12.3 nC @ 10 V
输入电容:606 pF @ 20 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:85 毫欧 @ 1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:600mW(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:12.3 nC @ 10 V
输入电容:606 pF @ 20 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:85 毫欧 @ 1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: