品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1926DL-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18.5pF@30V
连续漏极电流:370mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@340mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1926DL-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:510mW
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:1.4nC @ 10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18.5pF @ 30V
连续漏极电流:370mA
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:1.4 欧姆 @ 340mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1926DL-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:510mW
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:1.4nC @ 10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18.5pF @ 30V
连续漏极电流:370mA
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:1.4 欧姆 @ 340mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: