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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：800mW（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：11 nC @ 10 V
输入电容：344 pF @ 75 V
连续漏极电流：1.4A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：425 毫欧 @ 1.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：568mW（Ta）
阈值电压：1.3V @ 250µA
栅极电荷：4.5 nC @ 4.5 V
连续漏极电流：1.4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：150 毫欧 @ 1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：568mW（Ta）
阈值电压：1.3V @ 250µA
栅极电荷：4.5 nC @ 4.5 V
连续漏极电流：1.4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：150 毫欧 @ 1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：568mW（Ta）
阈值电压：1.3V @ 250µA
栅极电荷：4.5 nC @ 4.5 V
连续漏极电流：1.4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：150 毫欧 @ 1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB200UNEYL
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：350mW（Ta），6.25W（Tc）
阈值电压：950mV @ 250µA
栅极电荷：2.7 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：89 pF @ 15 V
连续漏极电流：1.4A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：250 毫欧 @ 1.4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：350mW（Ta），6.25W（Tc）
阈值电压：950mV @ 250µA
栅极电荷：2.7 nC @ 4.5 V
输入电容：89 pF @ 15 V
连续漏极电流：1.4A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：250 毫欧 @ 1.4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
