采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.13W
阈值电压：1.2V @ 250µA
栅极电荷：4nC @ 4.5V
输入电容：180pF @ 10V
连续漏极电流：3A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：75 毫欧 @ 3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1W
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：14nC @ 10V
输入电容：665pF @ 15V
连续漏极电流：7.5A，10A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：21.5 毫欧 @ 7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.13W
阈值电压：1.2V @ 250µA
栅极电荷：4nC @ 4.5V
输入电容：180pF @ 10V
连续漏极电流：3A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：75 毫欧 @ 3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：900mW
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：7nC @ 5V
输入电容：460pF @ 15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：40 毫欧 @ 5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.3W
阈值电压：4V @ 10µA
栅极电荷：6.3nC @ 10V
输入电容：251pF @ 25V
连续漏极电流：2.3A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：195 毫欧 @ 2.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1926DL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18.5pF@30V
连续漏极电流：370mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@340mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7252DP-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：46W
阈值电压：3.5V @ 250µA
栅极电荷：27nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1170pF @ 50V
连续漏极电流：36.7A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：18 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7252DP-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：46W
阈值电压：3.5V @ 250µA
栅极电荷：27nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1170pF @ 50V
连续漏极电流：36.7A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：18 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7252DP-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：46W
阈值电压：3.5V @ 250µA
栅极电荷：27nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1170pF @ 50V
连续漏极电流：36.7A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：18 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：7nC @ 5V
输入电容：460pF @ 15V
漏源电压：30V
类型：2 N-通道（双）
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：900mW
连续漏极电流：5.5A
导通电阻：40 毫欧 @ 5.5A，10V
阈值电压：3V @ 250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W
阈值电压：1.8V @ 250µA
栅极电荷：62nC @ 10V
输入电容：2070pF @ 15V
连续漏极电流：8A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：16 毫欧 @ 5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：410mW
阈值电压：1.5V @ 250µA
栅极电荷：0.72nC @ 4.5V
输入电容：34pF @ 20V
连续漏极电流：860mA
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：350 毫欧 @ 200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.8W
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：15nC @ 10V
输入电容：530pF @ 15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：35 毫欧 @ 5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：16.7W（Tc）
阈值电压：2.4V @ 250µA
栅极电荷：20.1nC @ 10V
输入电容：950pF @ 12.5V
连续漏极电流：30A（Tc）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：6.35 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.12W
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：7nC @ 10V
输入电容：220pF @ 15V
连续漏极电流：4A（Tc）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：65 毫欧 @ 3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.12W
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：7nC @ 10V
输入电容：220pF @ 15V
连续漏极电流：4A（Tc）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：65 毫欧 @ 3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：结型场效应管
销售单位：个
类型：2 N-通道（双）
输入电容：5pF @ 10V
功率：500mW
栅源击穿电压：25V
栅源截止电压：1 V @ 1 nA
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
漏源饱和电流：7 mA @ 10 V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.12W
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：7nC @ 10V
输入电容：220pF @ 15V
连续漏极电流：4A（Tc）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：65 毫欧 @ 3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：25W
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：8nC @ 10V
输入电容：250pF @ 50V
连续漏极电流：12.1A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：85 毫欧 @ 8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2W
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：11nC @ 5V
输入电容：955pF @ 20V
连续漏极电流：6A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：29 毫欧 @ 6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：16.7W，31W
阈值电压：2.4V @ 250µA
栅极电荷：8.9nC @ 4.5V，11.9nC @ 4.5V
输入电容：660pF @ 12.5V，1370pF @ 12.5V
连续漏极电流：30A（Tc），40A（Tc）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：8.3 毫欧 @ 8A，10V，4.24 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：16.7W，31W
阈值电压：2.4V @ 250µA
栅极电荷：8.9nC @ 4.5V，11.9nC @ 4.5V
输入电容：660pF @ 12.5V，1370pF @ 12.5V
连续漏极电流：30A（Tc），40A（Tc）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：8.3 毫欧 @ 8A，10V，4.24 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.12W
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：7nC @ 10V
输入电容：220pF @ 15V
连续漏极电流：4A（Tc）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：65 毫欧 @ 3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：16.7W（Tc）
阈值电压：2.4V @ 250µA
栅极电荷：20.1nC @ 10V
输入电容：950pF @ 12.5V
连续漏极电流：30A（Tc）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：6.35 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.1W
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：3.8nC @ 4.5V
输入电容：279pF @ 10V
连续漏极电流：1.7A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：200 毫欧 @ 1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：410mW
阈值电压：1.5V @ 250µA
栅极电荷：0.72nC @ 4.5V
输入电容：34pF @ 20V
连续漏极电流：860mA
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：350 毫欧 @ 200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT138K-AU_R1_000A1
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：236mW（Ta）
阈值电压：1.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC @ 4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF @ 25V
连续漏极电流：360mA（Ta）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：1.6 欧姆 @ 500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1926DL-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：510mW
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：1.4nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18.5pF @ 30V
连续漏极电流：370mA
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：1.4 欧姆 @ 340mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7252DP-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：46W
阈值电压：3.5V @ 250µA
栅极电荷：27nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1170pF @ 50V
连续漏极电流：36.7A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：18 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002V-TP
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：150mW
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF @ 25V
连续漏极电流：280mA
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：2 欧姆 @ 500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
