采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.3W
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：113nC @ 10V
输入电容：7940pF @ 20V
连续漏极电流：33A，156A
类型：2 个 N 通道（半桥）
导通电阻：1.5 毫欧 @ 33A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.3W
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：113nC @ 10V
输入电容：7940pF @ 20V
连续漏极电流：33A，156A
类型：2 个 N 通道（半桥）
导通电阻：1.5 毫欧 @ 33A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W
阈值电压：2V @ 250µA
栅极电荷：17nC @ 10V
输入电容：1157pF @ 15V
连续漏极电流：15A
类型：2 个 N 通道（半桥）
导通电阻：5 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.3W
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：113nC @ 10V
输入电容：7940pF @ 20V
连续漏极电流：33A，156A
类型：2 个 N 通道（半桥）
导通电阻：1.5 毫欧 @ 33A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W
阈值电压：2V @ 250µA
栅极电荷：17nC @ 10V
输入电容：1157pF @ 15V
连续漏极电流：15A
类型：2 个 N 通道（半桥）
导通电阻：5 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W
阈值电压：2V @ 250µA
栅极电荷：17nC @ 10V
输入电容：1157pF @ 15V
连续漏极电流：15A
类型：2 个 N 通道（半桥）
导通电阻：5 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
导通电阻：5 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：30V
阈值电压：2V @ 250µA
功率：2.5W
栅极电荷：17nC @ 10V
连续漏极电流：15A
输入电容：1157pF @ 15V
类型：2 个 N 通道（半桥）
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：33A，156A
输入电容：7940pF @ 20V
导通电阻：1.5 毫欧 @ 33A，10V
漏源电压：40V
类型：2 个 N 通道（半桥）
栅极电荷：113nC @ 10V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
阈值电压：3V @ 250µA
功率：2.3W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ710DT-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：27W，48W
阈值电压：2.2V @ 250µA
栅极电荷：18nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF @ 10V
连续漏极电流：16A，35A
类型：2 个 N 通道（半桥）
导通电阻：6.8 毫欧 @ 19A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：20W，30W
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：12nC @ 10V
输入电容：435pF @ 15V
连续漏极电流：12A，16A
类型：2 个 N 通道（半桥）
导通电阻：24 毫欧 @ 7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：20W，30W
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：12nC @ 10V
输入电容：435pF @ 15V
连续漏极电流：12A，16A
类型：2 个 N 通道（半桥）
导通电阻：24 毫欧 @ 7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：20W，30W
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：12nC @ 10V
输入电容：435pF @ 15V
连续漏极电流：12A，16A
类型：2 个 N 通道（半桥）
导通电阻：24 毫欧 @ 7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ710DT-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：27W，48W
阈值电压：2.2V @ 250µA
栅极电荷：18nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF @ 10V
连续漏极电流：16A，35A
类型：2 个 N 通道（半桥）
导通电阻：6.8 毫欧 @ 19A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ710DT-T1-GE3
输入电容：820pF @ 10V
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：2.2V @ 250µA
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
连续漏极电流：16A，35A
栅极电荷：18nC @ 10V
导通电阻：6.8 毫欧 @ 19A，10V
功率：27W，48W
漏源电压：20V
类型：2 个 N 通道（半桥）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
