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    onsemi Mosfet场效应管 FDS8870 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8870 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8870

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:112 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4615 pF @ 15 V

    连续漏极电流:18A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.2 毫欧 @ 18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8870 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8870 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8870

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:112 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4615 pF @ 15 V

    连续漏极电流:18A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.2 毫欧 @ 18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8870 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8870 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8870

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:112 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4615 pF @ 15 V

    连续漏极电流:18A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.2 毫欧 @ 18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQU13N06LTU-WS 起订516个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQU13N06LTU-WS 起订516个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):70psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQU13N06LTU-WS

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),28W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:6.4 nC @ 5 V

    包装方式:管件

    输入电容:350 pF @ 25 V

    连续漏极电流:11A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:115 毫欧 @ 5.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQU13N06LTU-WS 起订516个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQU13N06LTU-WS 起订516个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3960}

    包装规格(MPQ):70psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQU13N06LTU-WS

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),28W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.4 nC @ 5 V

    包装方式:管件

    输入电容:350 pF @ 25 V

    连续漏极电流:11A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:115 毫欧 @ 5.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS42LDN-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS42LDN-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:4.8W(Ta),57W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:48 nC @ 10 V

    输入电容:2058 pF @ 50 V

    连续漏极电流:11.3A(Ta),39A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:14.9 毫欧 @ 15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQU13N06LTU-WS 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQU13N06LTU-WS 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3960}

    包装规格(MPQ):70psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQU13N06LTU-WS

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),28W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.4 nC @ 5 V

    包装方式:管件

    输入电容:350 pF @ 25 V

    连续漏极电流:11A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:115 毫欧 @ 5.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8870 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8870 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8870

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:112 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4615 pF @ 15 V

    连续漏极电流:18A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.2 毫欧 @ 18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.6W(Ta),43W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:29 nC @ 10 V

    输入电容:1185 pF @ 30 V

    连续漏极电流:15.2A(Ta),52.1A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:8.8 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3460_R1_00001 起订数500个
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3460_R1_00001 起订数500个

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.25W(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:9.3 nC @ 10 V

    输入电容:509 pF @ 15 V

    连续漏极电流:2.5A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:75 毫欧 @ 2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.6W(Ta),43W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:29 nC @ 10 V

    输入电容:1185 pF @ 30 V

    连续漏极电流:15.2A(Ta),52.1A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:8.8 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQU13N06LTU-WS 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQU13N06LTU-WS 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3960}

    包装规格(MPQ):70psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQU13N06LTU-WS

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),28W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.4 nC @ 5 V

    包装方式:管件

    输入电容:350 pF @ 25 V

    连续漏极电流:11A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:115 毫欧 @ 5.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQU20N06LTU 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQU20N06LTU 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):70psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQU20N06LTU

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),38W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:13 nC @ 5 V

    包装方式:管件

    输入电容:630 pF @ 25 V

    连续漏极电流:17.2A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:60 毫欧 @ 8.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 AO4480 起订100个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4480 起订100个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4480

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.1W(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:22 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1920 pF @ 20 V

    连续漏极电流:14A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:12 毫欧 @ 14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3460_R1_00001 起订数1000个
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3460_R1_00001 起订数1000个

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.25W(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:9.3 nC @ 10 V

    输入电容:509 pF @ 15 V

    连续漏极电流:2.5A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:75 毫欧 @ 2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8870 起订数100个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8870 起订数100个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:112 nC @ 10 V

    输入电容:4615 pF @ 15 V

    连续漏极电流:18A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.2 毫欧 @ 18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:200mW(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    输入电容:50 pF @ 25 V

    连续漏极电流:115mA(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:7.5 欧姆 @ 500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8870 起订数10个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8870 起订数10个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:112 nC @ 10 V

    输入电容:4615 pF @ 15 V

    连续漏极电流:18A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.2 毫欧 @ 18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8870 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8870 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:112 nC @ 10 V

    输入电容:4615 pF @ 15 V

    连续漏极电流:18A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.2 毫欧 @ 18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8870 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8870 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8870

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:112 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4615 pF @ 15 V

    连续漏极电流:18A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.2 毫欧 @ 18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8870 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8870 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8870

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:112 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4615 pF @ 15 V

    连续漏极电流:18A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.2 毫欧 @ 18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM033NA04LCR RLG 起订数10个
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM033NA04LCR RLG 起订数10个

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:125W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:47 nC @ 10 V

    输入电容:3130 pF @ 20 V

    连续漏极电流:141A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:3.3 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:200mW(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    输入电容:50 pF @ 25 V

    连续漏极电流:115mA(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:7.5 欧姆 @ 500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:200mW(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    输入电容:50 pF @ 25 V

    连续漏极电流:115mA(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:7.5 欧姆 @ 500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:200mW(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    输入电容:50 pF @ 25 V

    连续漏极电流:115mA(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:7.5 欧姆 @ 500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002ET7G 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002ET7G 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:300mW(Tj)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:0.81 nC @ 5 V

    输入电容:40 pF @ 25 V

    连续漏极电流:260mA(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.5 欧姆 @ 240mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8870 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8870 起订数500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:112 nC @ 10 V

    输入电容:4615 pF @ 15 V

    连续漏极电流:18A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.2 毫欧 @ 18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002KTB_R1_00001 起订数2000个
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002KTB_R1_00001 起订数2000个

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:200mW(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:0.8 nC @ 4.5 V

    输入电容:35 pF @ 25 V

    连续漏极电流:115mA(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:3 欧姆 @ 500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3460_R1_00001 起订数1000个
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3460_R1_00001 起订数1000个

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.25W(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:9.3 nC @ 10 V

    输入电容:509 pF @ 15 V

    连续漏极电流:2.5A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:75 毫欧 @ 2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS42LDN-T1-GE3 起订数6000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS42LDN-T1-GE3 起订数6000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:4.8W(Ta),57W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:48 nC @ 10 V

    输入电容:2058 pF @ 50 V

    连续漏极电流:11.3A(Ta),39A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:14.9 毫欧 @ 15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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