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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA26DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2247pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：78W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：44 nC @ 10 V
输入电容：827 pF @ 100 V
连续漏极电流：5.4A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：940 毫欧 @ 3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：78W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：44 nC @ 10 V
输入电容：827 pF @ 100 V
连续漏极电流：5.4A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：940 毫欧 @ 3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：78W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：44 nC @ 10 V
输入电容：827 pF @ 100 V
连续漏极电流：5.4A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：940 毫欧 @ 3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：78W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：44 nC @ 10 V
输入电容：827 pF @ 100 V
连续漏极电流：5.4A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：940 毫欧 @ 3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：5.4A（Tc）
功率：78W（Tc）
输入电容：827 pF @ 100 V
导通电阻：940 毫欧 @ 3A，10V
漏源电压：800V
阈值电压：4V @ 250µA
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
栅极电荷：44 nC @ 10 V
类型：N 通道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：5.4A（Tc）
功率：78W（Tc）
输入电容：827 pF @ 100 V
导通电阻：940 毫欧 @ 3A，10V
漏源电压：800V
阈值电压：4V @ 250µA
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
栅极电荷：44 nC @ 10 V
类型：N 通道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
