品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:78W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:44 nC @ 10 V
输入电容:827 pF @ 100 V
连续漏极电流:5.4A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:940 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:78W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:44 nC @ 10 V
输入电容:827 pF @ 100 V
连续漏极电流:5.4A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:940 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:78W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:44 nC @ 10 V
输入电容:827 pF @ 100 V
连续漏极电流:5.4A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:940 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:78W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:44 nC @ 10 V
输入电容:827 pF @ 100 V
连续漏极电流:5.4A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:940 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
连续漏极电流:5.4A(Tc)
功率:78W(Tc)
输入电容:827 pF @ 100 V
导通电阻:940 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:800V
阈值电压:4V @ 250µA
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
栅极电荷:44 nC @ 10 V
类型:N 通道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
连续漏极电流:5.4A(Tc)
功率:78W(Tc)
输入电容:827 pF @ 100 V
导通电阻:940 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:800V
阈值电压:4V @ 250µA
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
栅极电荷:44 nC @ 10 V
类型:N 通道
包装清单:商品主体 * 1
库存: