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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：79，"23+"：4740}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC016N04LSGATMA1
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），139W（Tc）
阈值电压：2V @ 85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000 pF @ 20 V
连续漏极电流：31A（Ta），100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.6 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8320L
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），104W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11110 pF @ 20 V
连续漏极电流：36A（Ta），100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.1 毫欧 @ 32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8320L
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功率：2.5W（Ta），104W（Tc）
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类型：N 通道
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漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8447L
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），60W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：52 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2620 pF @ 20 V
连续漏极电流：15A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.5 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
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导通电阻：8.5 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8320L
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），104W（Tc）
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漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8320L
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），104W（Tc）
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栅极电荷：170 nC @ 10 V
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导通电阻：1.1 毫欧 @ 32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N04LSATMA1
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），96W（Tc）
阈值电压：2V @ 250µA
栅极电荷：61 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300 pF @ 20 V
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类型：N 通道
导通电阻：1.4 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2400，"MI+"：1600}
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销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8447L
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），60W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52 nC @ 10 V
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输入电容：2620 pF @ 20 V
连续漏极电流：15A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.5 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2400，"MI+"：1600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8447L
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），60W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52 nC @ 10 V
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输入电容：2620 pF @ 20 V
连续漏极电流：15A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.5 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N04LSATMA1
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），96W（Tc）
阈值电压：2V @ 250µA
栅极电荷：61 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300 pF @ 20 V
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类型：N 通道
导通电阻：1.4 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8447L
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），60W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：52 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2620 pF @ 20 V
连续漏极电流：15A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.5 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8453LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），65W（Tc）
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输入电容：3515 pF @ 20 V
连续漏极电流：16.4A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：6.7 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8320L
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），104W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11110 pF @ 20 V
连续漏极电流：36A（Ta），100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.1 毫欧 @ 32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：79，"23+"：4740}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC016N04LSGATMA1
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），139W（Tc）
阈值电压：2V @ 85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000 pF @ 20 V
连续漏极电流：31A（Ta），100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.6 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3378}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8320L
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），104W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11110 pF @ 20 V
连续漏极电流：36A（Ta），100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.1 毫欧 @ 32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8447L
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），60W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：52 nC @ 10 V
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输入电容：2620 pF @ 20 V
连续漏极电流：15A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.5 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8320L
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），104W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：170 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11110 pF @ 20 V
连续漏极电流：36A（Ta），100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.1 毫欧 @ 32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8842NZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845 pF @ 15 V
连续漏极电流：14.9A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：7 毫欧 @ 14.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8320L
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），104W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：170 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11110 pF @ 20 V
连续漏极电流：36A（Ta），100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.1 毫欧 @ 32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8842NZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：73 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845 pF @ 15 V
连续漏极电流：14.9A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：7 毫欧 @ 14.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N04LSATMA1
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），96W（Tc）
阈值电压：2V @ 250µA
栅极电荷：61 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300 pF @ 20 V
连续漏极电流：32A（Ta），100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.4 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3378}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8320L
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），104W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11110 pF @ 20 V
连续漏极电流：36A（Ta），100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.1 毫欧 @ 32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8320L
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），104W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11110 pF @ 20 V
连续漏极电流：36A（Ta），100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.1 毫欧 @ 32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8842NZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：73 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845 pF @ 15 V
连续漏极电流：14.9A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：7 毫欧 @ 14.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2400，"MI+"：1600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8447L
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），60W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2620 pF @ 20 V
连续漏极电流：15A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.5 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8453LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），65W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：64 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3515 pF @ 20 V
连续漏极电流：16.4A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：6.7 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC016N04LSGATMA1
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），139W（Tc）
阈值电压：2V @ 85µA
栅极电荷：150 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000 pF @ 20 V
连续漏极电流：31A（Ta），100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.6 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N04LSATMA1
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），96W（Tc）
阈值电压：2V @ 250µA
栅极电荷：61 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300 pF @ 20 V
连续漏极电流：32A（Ta），100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.4 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N04LSATMA1
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），96W（Tc）
阈值电压：2V @ 250µA
栅极电荷：61 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300 pF @ 20 V
连续漏极电流：32A（Ta），100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.4 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
