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    漏源电压
    20V
    栅极电荷
    工作温度: -55°C~150°C(TJ)
    类型: N 通道
    漏源电压: 20V
    栅极电荷: 95 nC @ 10 V
    当前匹配商品:3
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4114DY-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4114DY-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),5.7W(Tc)

    阈值电压:2.1V @ 250µA

    栅极电荷:95 nC @ 10 V

    输入电容:3700 pF @ 10 V

    连续漏极电流:20A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:6 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4114DY-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4114DY-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),5.7W(Tc)

    阈值电压:2.1V @ 250µA

    栅极电荷:95 nC @ 10 V

    输入电容:3700 pF @ 10 V

    连续漏极电流:20A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:6 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4114DY-T1-GE3 起订数7500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4114DY-T1-GE3 起订数7500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),5.7W(Tc)

    阈值电压:2.1V @ 250µA

    栅极电荷:95 nC @ 10 V

    输入电容:3700 pF @ 10 V

    连续漏极电流:20A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:6 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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