采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：12 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2919}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1139，"21+"：2671，"22+"：2248，"23+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8878
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040 pF @ 15 V
连续漏极电流：8A（Ta），8A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16 毫欧 @ 8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8878
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040 pF @ 15 V
连续漏极电流：8A（Ta），8A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16 毫欧 @ 8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：25 nC @ 4.5 V
输入电容：3230 pF @ 15 V
连续漏极电流：12A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：7 毫欧 @ 16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8878
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040 pF @ 15 V
连续漏极电流：8A（Ta），8A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16 毫欧 @ 8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8878
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040 pF @ 15 V
连续漏极电流：8A（Ta），8A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16 毫欧 @ 8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：12 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8884
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：7.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465 pF @ 15 V
连续漏极电流：6.5A（Ta），8A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：23 毫欧 @ 6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8878
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040 pF @ 15 V
连续漏极电流：8A（Ta），8A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16 毫欧 @ 8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8878
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040 pF @ 15 V
连续漏极电流：8A（Ta），8A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16 毫欧 @ 8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1139，"21+"：2671，"22+"：2248，"23+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8878
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040 pF @ 15 V
连续漏极电流：8A（Ta），8A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16 毫欧 @ 8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：12 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：12 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8878
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040 pF @ 15 V
连续漏极电流：8A（Ta），8A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16 毫欧 @ 8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8878
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040 pF @ 15 V
连续漏极电流：8A（Ta），8A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16 毫欧 @ 8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8878
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040 pF @ 15 V
连续漏极电流：8A（Ta），8A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16 毫欧 @ 8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8878
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040 pF @ 15 V
连续漏极电流：8A（Ta），8A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16 毫欧 @ 8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8884
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：7.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465 pF @ 15 V
连续漏极电流：6.5A（Ta），8A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：23 毫欧 @ 6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8878
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：18 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040 pF @ 15 V
连续漏极电流：8A（Ta），8A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16 毫欧 @ 8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8878
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：18 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040 pF @ 15 V
连续漏极电流：8A（Ta），8A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16 毫欧 @ 8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
