品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@30V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:216mΩ@2.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.3W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:12 nC @ 10 V
输入电容:350 pF @ 30 V
连续漏极电流:2.9A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:216 毫欧 @ 2.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.3W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:12 nC @ 10 V
输入电容:350 pF @ 30 V
连续漏极电流:2.9A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:216 毫欧 @ 2.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.3W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:12 nC @ 10 V
输入电容:350 pF @ 30 V
连续漏极电流:2.9A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:216 毫欧 @ 2.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.3W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:12 nC @ 10 V
输入电容:350 pF @ 30 V
连续漏极电流:2.9A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:216 毫欧 @ 2.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@30V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:216mΩ@2.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: