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    工作温度: -55°C~150°C(TJ)
    功率: 1.1W
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    onsemi Mosfet场效应管 NTHC5513T1G 起订8400个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHC5513T1G 起订8400个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHC5513T1G

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.1W

    阈值电压:1.2V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC @ 4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF @ 10V

    连续漏极电流:2.9A,2.2A

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:80 毫欧 @ 2.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2088DE6TA 起订数100个
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2088DE6TA 起订数100个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.1W

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:3.8nC @ 4.5V

    输入电容:279pF @ 10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:200 毫欧 @ 1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.1W

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:7.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:40 毫欧 @ 4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.1W

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:7.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:40 毫欧 @ 4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.1W

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:7.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:40 毫欧 @ 4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.1W

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:7.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:40 毫欧 @ 4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.1W

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:7.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:40 毫欧 @ 4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-E3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.1W

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:7.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:40 毫欧 @ 4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.1W

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:7.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:40 毫欧 @ 4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.1W

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:7.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:40 毫欧 @ 4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:7.5nC @ 4.5V

    功率:1.1W

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:40 毫欧 @ 4.4A,4.5V

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHC5513T1G 起订4200个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHC5513T1G 起订4200个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHC5513T1G

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF @ 10V

    栅极电荷:4nC @ 4.5V

    连续漏极电流:2.9A,2.2A

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    类型:N 和 P 沟道

    功率:1.1W

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:80 毫欧 @ 2.9A,4.5V

    阈值电压:1.2V @ 250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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