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品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTP5618
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：3V @ 1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：361 pF @ 30 V
连续漏极电流：1.25A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：170 毫欧 @ 1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTP5618
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：3V @ 1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：361 pF @ 30 V
连续漏极电流：1.25A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：170 毫欧 @ 1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTP5618
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：3V @ 1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：361 pF @ 30 V
连续漏极电流：1.25A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：170 毫欧 @ 1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTP5618
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：3V @ 1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：361 pF @ 30 V
连续漏极电流：1.25A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：170 毫欧 @ 1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTP5618
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：3V @ 1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：361 pF @ 30 V
连续漏极电流：1.25A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：170 毫欧 @ 1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTP5618
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：3V @ 1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：361 pF @ 30 V
连续漏极电流：1.25A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：170 毫欧 @ 1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTP5618
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：3V @ 1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：361 pF @ 30 V
连续漏极电流：1.25A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：170 毫欧 @ 1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTP5618
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：3V @ 1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：361 pF @ 30 V
连续漏极电流：1.25A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：170 毫欧 @ 1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTP5618
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：3V @ 1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：361 pF @ 30 V
连续漏极电流：1.25A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：170 毫欧 @ 1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTP5618
类型：P 通道
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：3V @ 1mA
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
漏源电压：60V
功率：500mW（Ta）
栅极电荷：7 nC @ 10 V
连续漏极电流：1.25A（Ta）
输入电容：361 pF @ 30 V
ECCN：EAR99
导通电阻：170 毫欧 @ 1.25A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2222
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS119NH6327XTSA1
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：2.3V @ 13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20.9 pF @ 25 V
连续漏极电流：190mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：6 欧姆 @ 190mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSD214SNH6327XTSA1
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：1.2V @ 3.7µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143 pF @ 10 V
连续漏极电流：1.5A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：140 毫欧 @ 1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SFB-7B
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：2.3V @ 250µA
栅极电荷：1.3 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51 pF @ 15 V
连续漏极电流：400mA（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：2.4 欧姆 @ 200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2222
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS119NH6327XTSA1
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：2.3V @ 13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20.9 pF @ 25 V
连续漏极电流：190mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：6 欧姆 @ 190mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2222
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS119NH6327XTSA1
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：2.3V @ 13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20.9 pF @ 25 V
连续漏极电流：190mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：6 欧姆 @ 190mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SFB-7B
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：2.3V @ 250µA
栅极电荷：1.3 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51 pF @ 15 V
连续漏极电流：400mA（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：2.4 欧姆 @ 200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3446T1G
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：1.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 10 V
连续漏极电流：2.5A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：45 毫欧 @ 5.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SFB-7B
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：2.3V @ 250µA
栅极电荷：1.3 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51 pF @ 15 V
连续漏极电流：400mA（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：2.4 欧姆 @ 200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SFB-7B
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：2.3V @ 250µA
栅极电荷：1.3 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51 pF @ 15 V
连续漏极电流：400mA（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：2.4 欧姆 @ 200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3446T1G
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：1.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 10 V
连续漏极电流：2.5A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：45 毫欧 @ 5.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3446T1G
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：1.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 10 V
连续漏极电流：2.5A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：45 毫欧 @ 5.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：2222
规格型号(MPN)：BSS119NH6327XTSA1
阈值电压：2.3V @ 13µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：190mA（Ta）
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
类型：N 通道
输入电容：20.9 pF @ 25 V
导通电阻：6 欧姆 @ 190mA，10V
栅极电荷：0.6 nC @ 10 V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
