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    工作温度: 175℃
    行业应用: 汽车
    阈值电压: 2.5V@250µA
    类型: P沟道
    当前匹配商品:100+
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    ST Mosfet场效应管 STD26P3LLH6 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD26P3LLH6 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD26P3LLH6

    工作温度:175℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL42P4LLF6 起订4个装
    ST Mosfet场效应管 STL42P4LLF6 起订4个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL42P4LLF6

    工作温度:175℃

    功率:75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL42P4LLF6 起订3000个装
    ST Mosfet场效应管 STL42P4LLF6 起订3000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL42P4LLF6

    工作温度:175℃

    功率:75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP15P06SLG-E1-AY 起订10个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP15P06SLG-E1-AY 起订10个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP15P06SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€30W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL42P6LLF6 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STL42P6LLF6 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL42P6LLF6

    工作温度:175℃

    功率:100W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3780pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD36P4LLF6 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STD36P4LLF6 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD36P4LLF6

    工作温度:175℃

    功率:60W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:20.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL42P6LLF6 起订3000个装
    ST Mosfet场效应管 STL42P6LLF6 起订3000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL42P6LLF6

    工作温度:175℃

    功率:100W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3780pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD35P6LLF6 起订2500个装
    ST Mosfet场效应管 STD35P6LLF6 起订2500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD35P6LLF6

    工作温度:175℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3780pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP50P06SDG-E1-AY 起订1个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP50P06SDG-E1-AY 起订1个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP50P06SDG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€84W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:16.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P06SLG-E1-AY 起订100个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P06SLG-E1-AY 起订100个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP20P06SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€38W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD35P6LLF6 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STD35P6LLF6 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD35P6LLF6

    工作温度:175℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3780pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD36P4LLF6 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD36P4LLF6 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD36P4LLF6

    工作温度:175℃

    功率:60W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:20.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P06SLG-E1-AY 起订10个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P06SLG-E1-AY 起订10个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP20P06SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€38W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P06SLG-E1-AY 起订10个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P06SLG-E1-AY 起订10个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP20P06SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€38W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD35P6LLF6 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STD35P6LLF6 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD35P6LLF6

    工作温度:175℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3780pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP75P04YLG-E1-AY 起订100个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP75P04YLG-E1-AY 起订100个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP75P04YLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1W€138W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@10V

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    输入电容:4800pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.7mΩ@37.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P06SLG-E1-AY 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P06SLG-E1-AY 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP20P06SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€38W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD46P4LLF6 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STD46P4LLF6 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD46P4LLF6

    工作温度:175℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:34nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3525pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@23A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP50P04SDG-E1-AY 起订100个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP50P04SDG-E1-AY 起订100个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP50P04SDG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€84W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

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    输入电容:5000pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD35P6LLF6 起订30个装
    ST Mosfet场效应管 STD35P6LLF6 起订30个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD35P6LLF6

    工作温度:175℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3780pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP15P06SLG-E1-AY 起订100个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP15P06SLG-E1-AY 起订100个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP15P06SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€30W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD26P3LLH6 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD26P3LLH6 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD26P3LLH6

    工作温度:175℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD26P3LLH6 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STD26P3LLH6 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD26P3LLH6

    工作温度:175℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P06SLG-E1-AY 起订10个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P06SLG-E1-AY 起订10个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP20P06SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€38W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P04SLG-E1-AY 起订100个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P04SLG-E1-AY 起订100个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP20P04SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€38W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD46P4LLF6 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STD46P4LLF6 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD46P4LLF6

    工作温度:175℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:34nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3525pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@23A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P04SLG-E1-AY 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P04SLG-E1-AY 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP20P04SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€38W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP50P03YDG-E1-AY 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP50P03YDG-E1-AY 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP50P03YDG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1W€102W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:96nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP15P04SLG-E1-AY 起订100个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP15P04SLG-E1-AY 起订100个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP15P04SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€30W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP75P04YLG-E1-AY 起订10个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP75P04YLG-E1-AY 起订10个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP75P04YLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1W€138W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4800pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.7mΩ@37.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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