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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK65S04N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@300µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@10V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@32.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK65S04N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@300µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@10V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@32.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6R7P06PL，RQ
工作温度：175℃
功率：66W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1990pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN3R804NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：840mW€100W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK110P10PL，RQ
工作温度：175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN3R804NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：840mW€100W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK110P10PL，RQ
工作温度：175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R806PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€104W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2770pF@30V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@36A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK65S04N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@300µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@10V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@32.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6R7P06PL，RQ
工作温度：175℃
功率：66W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1990pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK110P10PL，RQ
工作温度：175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN3R804NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：840mW€100W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6R7P06PL，RQ
工作温度：175℃
功率：66W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1990pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK110P10PL，RQ
工作温度：175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK65S04N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@10V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@32.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8R2A06PL，S4X
工作温度：175℃
功率：36W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1990pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@8A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8R2A06PL，S4X
工作温度：175℃
功率：36W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1990pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@8A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN3R804NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：840mW€100W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK65S04N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@300µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@10V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@32.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R806PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€104W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2770pF@30V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@36A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5R3A06PL，S4X
工作温度：175℃
功率：36W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2380pF@30V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@28A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK65S04N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@300µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@10V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@32.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R806PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€104W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2770pF@30V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@36A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6R7P06PL，RQ
工作温度：175℃
功率：66W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1990pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK65S04N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@300µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@10V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@32.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK65S04N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@300µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@10V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@32.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R806PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€104W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2770pF@30V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@36A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK65S04N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@300µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@10V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@32.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6R7P06PL，RQ
工作温度：175℃
功率：66W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1990pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK110P10PL，RQ
工作温度：175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
