品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN7R104NC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:840mW€65W
阈值电压:2.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:7.1mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN7R104NC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:840mW€65W
阈值电压:2.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:7.1mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:840mW€65W
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ECCN:EAR99
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:7.1mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
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行业应用:工业,汽车
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功率:840mW€65W
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):XPN7R104NC,L1XHQ
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功率:840mW€65W
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ECCN:EAR99
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):XPN7R104NC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:840mW€65W
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):XPN7R104NC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:840mW€65W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
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类型:N沟道
导通电阻:7.1mΩ@10A,10V
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品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN7R104NC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:840mW€65W
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ECCN:EAR99
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库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN7R104NC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:840mW€65W
阈值电压:2.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
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连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:7.1mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN7R104NC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:840mW€65W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
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类型:N沟道
导通电阻:7.1mΩ@10A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH9R506PL,LQ
工作温度:175℃
功率:830mW€81W
阈值电压:2.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1910pF@30V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN7R104NC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:840mW€65W
阈值电压:2.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
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输入电容:1290pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:7.1mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH9R506PL,LQ
工作温度:175℃
功率:830mW€81W
阈值电压:2.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
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输入电容:1910pF@30V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH9R506PL,LQ
工作温度:175℃
功率:830mW€81W
阈值电压:2.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
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输入电容:1910pF@30V
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类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN7R104NC,L1XHQ
连续漏极电流:20A
导通电阻:7.1mΩ@10A,10V
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阈值电压:2.5V@200µA
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类型:N沟道
工作温度:175℃
栅极电荷:21nC@10V
功率:840mW€65W
输入电容:1290pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN7R104NC,L1XHQ
连续漏极电流:20A
导通电阻:7.1mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@200µA
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:175℃
栅极电荷:21nC@10V
功率:840mW€65W
输入电容:1290pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH9R506PL,LQ
工作温度:175℃
功率:830mW€81W
阈值电压:2.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1910pF@30V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH9R506PL,LQ
工作温度:175℃
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH9R506PL,LQ
工作温度:175℃
功率:830mW€81W
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类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH9R506PL,LQ
工作温度:175℃
功率:830mW€81W
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栅极电荷:21nC@10V
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导通电阻:9.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN7R104NC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:840mW€65W
阈值电压:2.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:7.1mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH9R506PL,LQ
工作温度:175℃
功率:830mW€81W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH9R506PL,LQ
工作温度:175℃
功率:830mW€81W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1910pF@30V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH9R506PL,LQ
工作温度:175℃
功率:830mW€81W
阈值电压:2.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1910pF@30V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH9R506PL,LQ
工作温度:175℃
功率:830mW€81W
阈值电压:2.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1910pF@30V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH9R506PL,LQ
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@200µA
输入电容:1910pF@30V
类型:N沟道
连续漏极电流:34A
漏源电压:60V
导通电阻:9.5mΩ@17A,10V
工作温度:175℃
栅极电荷:21nC@10V
功率:830mW€81W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN7R104NC,L1XHQ
连续漏极电流:20A
导通电阻:7.1mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@200µA
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:175℃
栅极电荷:21nC@10V
功率:840mW€65W
输入电容:1290pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
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