品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK33S10N1Z,LXHQ
工作温度:175℃
功率:125W
阈值电压:4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@10V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@16.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K819R,LXHF
工作温度:175℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:25.8mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7S10N1Z,LQ
工作温度:175℃
功率:50W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@3.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7S10N1Z,LQ
工作温度:175℃
功率:50W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@3.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XK1R9F10QB,LXGQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:184nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11500pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.92mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK160F10N1L,LQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10100pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XK1R9F10QB,LXGQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:184nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11500pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.92mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK55S10N1,LQ
工作温度:175℃
功率:157W
阈值电压:4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3280pF@10V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7S10N1Z,LQ
工作温度:175℃
功率:50W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@3.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7S10N1Z,LQ
工作温度:175℃
功率:50W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@3.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK160F10N1L,LXGQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10100pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH3R70APL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6300pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@45A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH3R70APL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6300pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@45A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XK1R9F10QB,LXGQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:184nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11500pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.92mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK55S10N1,LQ
工作温度:175℃
功率:157W
阈值电压:4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3280pF@10V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK160F10N1L,LXGQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10100pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K819R,LXHF
工作温度:175℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:25.8mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK55S10N1,LQ
工作温度:175℃
功率:157W
阈值电压:4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3280pF@10V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K361R,LF
工作温度:175℃
功率:1.2W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XK1R9F10QB,LXGQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:184nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11500pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.92mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK160F10N1L,LXGQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10100pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK33S10N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@10V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@16.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK110P10PL,RQ
工作温度:175℃
功率:75W
阈值电压:2.5V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2040pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:10.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XK1R9F10QB,LXGQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:184nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11500pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.92mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XK1R9F10QB,LXGQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:184nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11500pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.92mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK60F10N1L,LXGQ
工作温度:175℃
功率:205W
阈值电压:3.5V@500µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4320pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.11mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH3R70APL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6300pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@45A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK110P10PL,RQ
工作温度:175℃
功率:75W
阈值电压:2.5V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2040pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:10.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7S10N1Z,LQ
工作温度:175℃
功率:50W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@3.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK55S10N1,LXHQ
工作温度:175℃
功率:157W
阈值电压:4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3280pF@10V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: