品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TW015N120C,S1F
工作温度:175℃
功率:431W
阈值电压:5V@11.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:158nC@18V
包装方式:管件
输入电容:6000pF@800V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@50A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TW030N120C,S1F
工作温度:175℃
功率:249W
阈值电压:5V@13mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@18V
包装方式:管件
输入电容:2925pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@30A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TW060N120C,S1F
工作温度:175℃
功率:170W
阈值电压:5V@4.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1530pF@800V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@18A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TW140N120C,S1F
工作温度:175℃
功率:107W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@18V
包装方式:管件
输入电容:691pF@800V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:182mΩ@10A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TW015N120C,S1F
工作温度:175℃
功率:431W
阈值电压:5V@11.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:158nC@18V
包装方式:管件
输入电容:6000pF@800V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@50A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TW060N120C,S1F
工作温度:175℃
功率:170W
阈值电压:5V@4.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1530pF@800V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@18A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TW060N120C,S1F
工作温度:175℃
功率:170W
阈值电压:5V@4.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1530pF@800V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@18A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TW140N120C,S1F
工作温度:175℃
功率:107W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@18V
包装方式:管件
输入电容:691pF@800V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:182mΩ@10A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: