品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK90S06N1L,LQ
工作温度:175℃
功率:157W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@10V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK90S06N1L,LQ
工作温度:175℃
功率:157W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@10V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP90N06VDK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€147W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP90N06VDK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€147W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP90N06VDK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€147W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL90N6F7
工作温度:175℃
功率:4.8W€94W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@10.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP90N06VDK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€147W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK90S06N1L,LQ
工作温度:175℃
功率:157W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@10V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK90S06N1L,LQ
工作温度:175℃
功率:157W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@10V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL90N6F7
工作温度:175℃
功率:4.8W€94W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@10.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL90N6F7
工作温度:175℃
功率:4.8W€94W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@10.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL90N6F7
工作温度:175℃
功率:4.8W€94W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@10.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK90S06N1L,LQ
工作温度:175℃
功率:157W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@10V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK90S06N1L,LQ
工作温度:175℃
功率:157W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@10V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP90N06VDK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€147W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL90N6F7
工作温度:175℃
功率:4.8W€94W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@10.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL90N6F7
工作温度:175℃
功率:4.8W€94W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@10.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK90S06N1L,LQ
工作温度:175℃
功率:157W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@10V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK90S06N1L,LQ
工作温度:175℃
功率:157W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@10V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP90N06VDK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€147W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP90N06VDK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€147W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL90N6F7
工作温度:175℃
功率:4.8W€94W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@10.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP90N06VDK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€147W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP90N06VDK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€147W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL90N6F7
工作温度:175℃
功率:4.8W€94W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@10.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL90N6F7
工作温度:175℃
功率:4.8W€94W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@10.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL90N6F7
工作温度:175℃
功率:4.8W€94W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@10.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL90N6F7
工作温度:175℃
功率:4.8W€94W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@10.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:19+
销售单位:个
规格型号(MPN):STL90N6F7
工作温度:175℃
功率:4.8W€94W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@10.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK90S06N1L,LQ
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:3.3mΩ@45A,10V
栅极电荷:81nC@10V
功率:157W
阈值电压:2.5V@500µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:90A
工作温度:175℃
输入电容:5400pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: