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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R306PL1,LQ 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R306PL1,LQ 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R306PL1,LQ

    工作温度:175℃

    功率:960mW€210W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8100pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.34mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TW015N65C,S1F 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TW015N65C,S1F 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TW015N65C,S1F

    工作温度:175℃

    功率:342W

    阈值电压:5V@11.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:128nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:4850pF@400V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@50A,18V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R506PL,L1Q 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R506PL,L1Q 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH2R506PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:132W

    阈值电压:2.5V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5435pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@30A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP100P06PDG-E1-AY 起订1个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP100P06PDG-E1-AY 起订1个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP100P06PDG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€200W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:300nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15000pF@10V

    连续漏极电流:100A

    类型:P沟道

    导通电阻:6mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDBA100N10BT4H 起订373个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDBA100N10BT4H 起订373个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":4765,"MI+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDBA100N10BT4H

    工作温度:175℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@50A,15V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R306PL,L1Q 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R306PL,L1Q 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R306PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8100pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.34mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R306PL,L1Q 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R306PL,L1Q 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R306PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8100pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.34mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP100P06PDG-E1-AY 起订10个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP100P06PDG-E1-AY 起订10个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP100P06PDG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€200W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:300nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15000pF@10V

    连续漏极电流:100A

    类型:P沟道

    导通电阻:6mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R306PL,L1Q 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R306PL,L1Q 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R306PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8100pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.34mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK100S04N1L,LXHQ 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK100S04N1L,LXHQ 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK100S04N1L,LXHQ

    工作温度:175℃

    功率:180W

    阈值电压:2.5V@500µA

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5490pF@10V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK100S04N1L,LXHQ 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK100S04N1L,LXHQ 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK100S04N1L,LXHQ

    工作温度:175℃

    功率:180W

    阈值电压:2.5V@500µA

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5490pF@10V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK100S04N1L,LXHQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK100S04N1L,LXHQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK100S04N1L,LXHQ

    工作温度:175℃

    功率:180W

    阈值电压:2.5V@500µA

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5490pF@10V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP100P04PLG-E1-AY 起订100个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP100P04PLG-E1-AY 起订100个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP100P04PLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€200W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:320nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15100pF@10V

    连续漏极电流:100A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R306P1,L1Q 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R306P1,L1Q 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R306P1,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8100pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.28mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP100P04PLG-E1-AY 起订10个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP100P04PLG-E1-AY 起订10个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP100P04PLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€200W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:320nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15100pF@10V

    连续漏极电流:100A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP100P04PDG-E1-AY 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP100P04PDG-E1-AY 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP100P04PDG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€200W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:320nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15100pF@10V

    连续漏极电流:100A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP100P04PDG-E1-AY 起订100个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP100P04PDG-E1-AY 起订100个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP100P04PDG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€200W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:320nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15100pF@10V

    连续漏极电流:100A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP100P04PLG-E1-AY 起订10个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP100P04PLG-E1-AY 起订10个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP100P04PLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€200W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:320nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15100pF@10V

    连续漏极电流:100A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R306PL,L1Q 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R306PL,L1Q 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R306PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8100pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.34mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R306P1,L1Q 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R306P1,L1Q 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R306P1,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8100pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.28mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R104PL,LQ 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R104PL,LQ 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH2R104PL,LQ

    工作温度:175℃

    功率:830mW€116W

    阈值电压:2.4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6230pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R306PL,L1Q 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R306PL,L1Q 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R306PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8100pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.34mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP100P06PDG-E1-AY 起订10个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP100P06PDG-E1-AY 起订10个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP100P06PDG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€200W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:300nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15000pF@10V

    连续漏极电流:100A

    类型:P沟道

    导通电阻:6mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R104PL,LQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R104PL,LQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH2R104PL,LQ

    工作温度:175℃

    功率:830mW€116W

    阈值电压:2.4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6230pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R306P1,L1Q 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R306P1,L1Q 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R306P1,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8100pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.28mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R506PL,L1Q 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R506PL,L1Q 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH2R506PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:132W

    阈值电压:2.5V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5435pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@30A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK100S04N1L,LXHQ 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK100S04N1L,LXHQ 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK100S04N1L,LXHQ

    工作温度:175℃

    功率:180W

    阈值电压:2.5V@500µA

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5490pF@10V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK100S04N1L,LXHQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK100S04N1L,LXHQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK100S04N1L,LXHQ

    工作温度:175℃

    功率:180W

    阈值电压:2.5V@500µA

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5490pF@10V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPH3R114MC,L1XHQ 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPH3R114MC,L1XHQ 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XPH3R114MC,L1XHQ

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:230nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9500pF@10V

    连续漏极电流:100A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPH3R114MC,L1XHQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPH3R114MC,L1XHQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XPH3R114MC,L1XHQ

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:230nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9500pF@10V

    连续漏极电流:100A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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