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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH3R003PL,LQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH3R003PL,LQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH3R003PL,LQ

    工作温度:175℃

    功率:90W

    阈值电压:2.1V@300µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3825pF@15V

    连续漏极电流:88A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@44A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH3R003PL,LQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH3R003PL,LQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH3R003PL,LQ

    工作温度:175℃

    功率:90W

    阈值电压:2.1V@300µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3825pF@15V

    连续漏极电流:88A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@44A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP88N04NUG-S18-AY 起订135个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP88N04NUG-S18-AY 起订135个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":1450}

    包装规格(MPQ):112psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP88N04NUG-S18-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€200W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:15000pF@25V

    连续漏极电流:88A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@44A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP88N04NUG-S18-AY 起订300个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP88N04NUG-S18-AY 起订300个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":1450}

    包装规格(MPQ):112psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP88N04NUG-S18-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€200W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:15000pF@25V

    连续漏极电流:88A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@44A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH3R003PL,LQ 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH3R003PL,LQ 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH3R003PL,LQ

    工作温度:175℃

    功率:90W

    阈值电压:2.1V@300µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3825pF@15V

    连续漏极电流:88A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@44A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    RENESAS Mosfet场效应管 NP88N04NUG-S18-AY 起订112个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP88N04NUG-S18-AY 起订112个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):112psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP88N04NUG-S18-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€200W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:15000pF@25V

    连续漏极电流:88A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@44A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    RENESAS Mosfet场效应管 NP88N04NUG-S18-AY 起订135个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP88N04NUG-S18-AY 起订135个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):112psc

    生产批次:{"20+":1450}

    规格型号(MPN):NP88N04NUG-S18-AY

    连续漏极电流:88A

    导通电阻:3.4mΩ@44A,10V

    功率:1.8W€200W

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    工作温度:175℃

    输入电容:15000pF@25V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:250nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH3R003PL,LQ 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH3R003PL,LQ 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH3R003PL,LQ

    工作温度:175℃

    功率:90W

    阈值电压:2.1V@300µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3825pF@15V

    连续漏极电流:88A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@44A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH3R003PL,LQ 起订3000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH3R003PL,LQ 起订3000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH3R003PL,LQ

    工作温度:175℃

    功率:90W

    阈值电压:2.1V@300µA

    栅极电荷:50nC@10V

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    输入电容:3825pF@15V

    连续漏极电流:88A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@44A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP88N04NUG-S18-AY 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP88N04NUG-S18-AY 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":1450}

    包装规格(MPQ):112psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP88N04NUG-S18-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€200W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:15000pF@25V

    连续漏极电流:88A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@44A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    RENESAS Mosfet场效应管 NP88N04NUG-S18-AY 起订5000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP88N04NUG-S18-AY 起订5000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":1450}

    包装规格(MPQ):112psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP88N04NUG-S18-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€200W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:15000pF@25V

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    导通电阻:3.4mΩ@44A,10V

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